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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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王双鹏 [2]
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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件
期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:
贲建伟
;
孙晓娟
;
蒋科
;
陈洋
;
石芝铭
;
臧行
;
张山丽
;
黎大兵
;
吕威
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提交时间:2021/07/06
AlGaN基材料
外延生长
掺杂
紫外发光器件
紫外探测
大功率半导体激光器抗腔面灾变性光学损伤技术综述
期刊论文
半导体光电, 2020, 卷号: 41, 期号: 05, 页码: 618-626
作者:
宋悦
;
宁永强
;
秦莉
;
陈泳屹
;
张金龙
;
张俊
;
王立军
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提交时间:2021/07/06
大功率半导体激光器
腔面灾变性光学损伤
输出功率
可靠性
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development
期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:
X.-H.Xie
;
B.-H.Li
;
Z.-Z.Zhang
;
L.Liu
;
K.-W.Liu
;
C.-X.Shan
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提交时间:2020/08/24
Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide
N掺杂MgZnO薄膜的光电性质
期刊论文
发光学报, 2019, 卷号: 40, 期号: 08, 页码: 956-960
作者:
赵鹏程
;
张振中
;
姚斌
;
李炳辉
;
李贤丽
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提交时间:2020/08/24
分子束外延
MgZnO薄膜
光电性质
N掺杂纳米ZnO/聚氯乙烯复合材料的制备和光催化性能
期刊论文
材料研究学报, 2015, 期号: 03, 页码: 213-215
作者:
曹萍
;
白越
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提交时间:2016/07/06
复合材料
Zno
光催化剂
聚氯乙烯
Preparation and photocatalytic properties of N-doped nano-ZnO/PVC composites
期刊论文
Cailiao Yanjiu Xuebao/Chinese Journal of Materials Research, 2015, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 213-215
作者:
Cao, P. and Y. Bai
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提交时间:2016/08/24
基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
胡光冲
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提交时间:2015/05/03
Mgzno
深紫外
等离子体
Mocvd
硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响
期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 7, 页码: 795-799
作者:
赵鹏程
;
张振中
;
姚斌
;
李炳辉
;
王双鹏
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姜明明
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赵东旭
;
单崇新
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刘雷
;
申德振
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提交时间:2015/04/17
Zno
B/n共掺
P型掺杂
高性能氧化锌基发光器件研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
刘兴宇
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提交时间:2014/08/21
氧化锌基激光器件的设计、制备与特性研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
倪佩楠
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提交时间:2014/08/21