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| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
| 基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 胡光冲
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Mgzno 深紫外 等离子体 Mocvd |
| 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 9, 页码: 1040-1045
作者: 郑剑; 张振中 ; 王立昆; 韩舜; 张吉英; 刘益春; 王双鹏; 姜明明; 李炳辉; 赵东旭; 刘雷; 刘可为; 单崇新; 申德振
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立方mgzno 缓冲层 带隙调制 |
| AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 陈一仁
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| MgZnO薄膜掺杂及其紫外探测器研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 李超群
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| MgZnO合金薄膜带隙调制及其紫外探测器件 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 郑剑
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| MgZn(Ni)O薄膜制备及垂直结构紫外探测器特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 赵延民
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| Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 04, 页码: 330-334
作者: 赵晓薇; 范希武; 张吉英; 单崇新; 张振中; 羊亿; 吕有明; 刘益春; 申德振
caj(232Kb) | 收藏 | 浏览/下载：373/85 | 提交时间：2013/03/11
Znse外延膜 Si衬底 低压mocvd |
