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| GaN directional couplers for on-chip optical interconnect 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2017, 卷号: 32, 期号: 4
作者: Yuan, J. L.; X. M. Gao; Y. C. Yang; G. X. Zhu; W. Yuan; H. W. Choi; Z. Y. Zhang and Y. J. Wang
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| The relationship between the dislocations and microstructure in In0.82Ga0.18As/InP heterostructures 期刊论文
Scientific Reports, 2016, 卷号: 6
作者: Zhao, L. ; Z. X. Guo; Q. L. Wei; G. Q. Miao and L. Zhao
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| Effect of deposition temperature on the structural and surface properties of AlN by plasma enhanced atomic layer deposition 期刊论文
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2016, 卷号: 45, 期号: 4
作者: Chen, F.; X. Fang; S. Wang; S. Niu; F. Fang; D. Fang; J. Tang; X. Wang; G. Liu and Z. Wei
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| 石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者: 徐昌一
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石墨烯 Gan 探测器 Mocvd 肖特基接触 |
| Design and performance analysis of extended wavelength InGaAs near-infrared photodetectors 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 54, 期号: 10, 页码: 6
作者: Ma, J.; Z. W. Zhang; G. Q. Miao and Y. G. Zhao
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| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
| 局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 包广宏
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Algan日盲紫外探测器 表面等离激元 Al颗粒制备 |
| 基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 胡光冲
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Mgzno 深紫外 等离子体 Mocvd |
| MgZnO异质结紫外光电探测器件的制备与内增益特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 谢修华
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| Dynamical properties and their strain-dependence of ZnSe(ZnSe:N): Zinc-blende and wurtzite 期刊论文
Aip Advances, 2014, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 7
作者: Wang D. D.; Zhang X. J.; Li B. H.; Liu L.; Shen D. Z.
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