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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:SCI
出处:Applied Physics Letters
语种:英语
文献类型:期刊论文
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Sign reversal of planar Hall effect with temperature in La-doped Sr2IrO4 films
期刊论文
Applied Physics Letters, 2023, 卷号: 122, 期号: 2, 页码: 6
作者:
M. R. Liu
;
J. N. Yue
;
J. C. Meng
;
T. N. Shao
;
C. L. Yao
;
X. J. Sun
;
J. C. Nie and D. B. Li
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提交时间:2024/07/03
Understanding efficiency improvements of betavoltaic batteries based on 4H-SiC, GaN, and diamond
期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 121, 期号: 10, 页码: 8
作者:
R. Z. Zheng
;
J. B. Lu
;
Y. Wang
;
Z. Y. Chen
;
X. Zhang
;
X. Y. Li
;
L. Liang
;
L. Qin
;
Y. G. Zeng
;
Y. Y. Chen and Y. M. Liu
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提交时间:2023/06/14
Pressure-induced phase transitions in weak interlayer coupling CdPS3
期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 120, 期号: 23, 页码: 7
作者:
M. M. Niu
;
H. W. Cheng
;
X. L. Li
;
J. Yu
;
X. W. Yang
;
Y. Q. Gao
;
R. G. Liu
;
Y. Cao
;
K. Y. He
;
X. J. Xie
;
Q. Shen
;
M. Lu
;
L. Wang
;
T. T. Yin and J. X. Yan
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提交时间:2023/06/14
MOCVD growth of MgGa2O4 thin films for high-performance solar-blind UV photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 120, 期号: 1, 页码: 6
作者:
Q. C. Hou
;
K. W. Liu
;
D. Y. Han
;
Y. X. Zhu
;
X. Chen
;
B. H. Li
;
L. Liu and D. Z. Shen
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提交时间:2023/06/14
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
Y. X. Chen
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
Y. Chen
;
Z. H. Zhang
;
Y. P. Jia
;
Z. M. Shi and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Temperature-dependent phase noise properties of a two-section GaSb-based mode-locked laser emitting at 2 mu m
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 14, 页码: 4
作者:
X. Li,H. Wang,Z. L. Qiao,J. X. B. Sia,W. J. Wang,X. Guo,Y. Zhang,Z. C. Niu,C. Z. Tong and C. Y. Liu
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提交时间:2021/07/06
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Ultrabroadband and independent polarization of optical amplification with InGaAs-based indium-rich cluster quantum-confined structure
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 5
作者:
M. Zheng
;
Q. N. Yu
;
X. Li
;
H. X. Tai
;
X. Zhang
;
J. W. Zhang
;
Y. Q. Ning and J. Wu
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提交时间:2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:
J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Thermal analysis of high-bandwidth and energy-efficient 980 nm VCSELs with optimized quantum well gain peak-to-cavity resonance wevelength offset
期刊论文
Applied Physics Letters, 2017, 卷号: 111, 期号: 24
作者:
Li, H.
;
P. Wolf
;
X. W. Jia
;
J. A. Lott and D. Bimberg
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提交时间:2018/06/13