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| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
 Adobe PDF(3244Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1289/1 | 提交时间：2015/05/03
金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
| AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 陈一仁
Adobe PDF(3909Kb) | 收藏 | 浏览/下载：964/1 | 提交时间：2014/08/21 |
| MgZnO薄膜掺杂及其紫外探测器研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 李超群
Adobe PDF(4451Kb) | 收藏 | 浏览/下载：416/1 | 提交时间：2014/08/21 |
| MgZnO合金薄膜带隙调制及其紫外探测器件 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 郑剑
Adobe PDF(6550Kb) | 收藏 | 浏览/下载：441/1 | 提交时间：2014/08/21 |
| Dynamical properties and their strain-dependence of ZnSe(ZnSe:N): Zinc-blende and wurtzite 期刊论文
Aip Advances, 2014, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 7
作者: Wang D. D.; Zhang X. J.; Li B. H.; Liu L.; Shen D. Z.
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| Enhanced emission from ZnO-based double heterostructure light-emitting devices using a distributed Bragg reflector 期刊论文
Rsc Advances, 2014, 卷号: 4, 期号: 32, 页码: 16578-16582
作者: Lu Y. J.; Shan C. X.; Jiang M. M.; Li B. H.; Liu K. W.; Li R. G.; Shen D. Z.
Adobe PDF(522Kb) | 收藏 | 浏览/下载：526/108 | 提交时间：2015/04/24 |
| Smooth surface morphology of ZnO thin films on sapphire at low temperature 期刊论文
Faguang Xuebao/中文 Journal of Luminescence, 2014, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 542-547
作者: Zhao P.-C.; Zhang Z.-Z.; Yao B.; Li B.-H.; Wang S.-P.; Jiang M.-M.; Zhao D.-X.; Shan C.-X.; Zhao H.-F.; Liu L.; Shen D.-Z.
收藏 | 浏览/下载：266/0 | 提交时间：2015/04/24 |
| Influence of the growth temperature of AlN nucleation layer on AlN template grown by high-temperature MOCVD 期刊论文
Materials Letters, 2014, 卷号: 114, 期号: 26-28
作者: Chen Y. R.; Song H.; Li D. B.; Sun X. J.; Jiang H.; Li Z. M.; Miao G. Q.; Zhang Z. W.; Zhou Y.
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| Realization of a self-powered ZnO MSM UV photodetector with high responsivity using an asymmetric pair of Au electrodes 期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2014, 卷号: 2, 期号: 45, 页码: 9689-9694
作者: Chen H. Y.; Liu K. W.; Chen X.; Zhang Z. Z.; Fan M. M.; Jiang M. M.; Xie X. H.; Zhao H. F.; Shen D. Z.
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| Improved performance of ZnO light-emitting devices by introducing a hole-injection layer 期刊论文
Optics Express, 2014, 卷号: 22, 期号: 14, 页码: 17524-17531
作者: Lu Y. J.; Li H. F.; Shan C. X.; Li B. H.; Shen D. Z.; Zhang L. G.; Yu S. F.
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