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| 高效热活化延迟荧光OLED和近红外光探测器及其集成上转换发光器件研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 宋乔刚
 caj(10602Kb) |  收藏 | 浏览/下载：155/0 | 提交时间：2020/08/24
非掺杂 热活化延迟荧光发光二极管 n型阳极缓冲层 近红外光探测器 上转换发光器件 |
| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
Adobe PDF(3244Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1346/1 | 提交时间：2015/05/03
金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
| 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 9, 页码: 1040-1045
作者: 郑剑; 张振中 ; 王立昆; 韩舜; 张吉英; 刘益春; 王双鹏; 姜明明; 李炳辉; 赵东旭; 刘雷; 刘可为; 单崇新; 申德振
 caj(345Kb) | 收藏 | 浏览/下载：666/158 | 提交时间：2015/04/17
立方mgzno 缓冲层 带隙调制 |
| GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者: 王新建; 宋航; 黎大兵; 蒋红; 李志明; 缪国庆; 陈一仁; 孙晓娟
caj(544Kb) | 收藏 | 浏览/下载：870/206 | 提交时间：2013/03/11
Aln Gan缓冲层 晶体结构 晶粒尺寸 |
| F_(16)CuPc作为阳极缓冲层对有机太阳能电池性能的显著改善 期刊论文
发光学报, 2011, 期号: 11, 页码: 1176-1180
作者: 刘亚东; 苏子生; 庄陶钧; 初蓓; 李文连
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阳极缓冲层 Cupc F16cupc 结晶度 |
| PrF_3阳极缓冲层对OLED器件性能的影响 期刊论文
发光学报, 2011, 期号: 09, 页码: 929-933
作者: 廖亚琴; 陈红; 刘星元
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有机电致发光器件 Prf3 空穴缓冲层 功函数 |
| 利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层 期刊论文
发光学报, 2011, 期号: 06, 页码: 612-616
作者: 张铁民; 缪国庆; 傅军; 符运良; 林红
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In0.82ga0.18as 金属有机化学气相淀积 缓冲层 |
| ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 期刊论文
发光学报, 2003, 期号: 01, 页码: 61-65
作者: 王晓华; 范希武; 单崇新; 张振中; 张吉英; 刘益春; 吕有明; 申德振
caj(55Kb) | 收藏 | 浏览/下载：557/97 | 提交时间：2013/03/11
硒化锌薄膜 Si衬底 Zno缓冲层 Lp-mocvd |
