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两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质 期刊论文
发光学报, 2015, 期号: 03, 页码: 288-292
作者:  韩智明;  缪国庆;  曾玉刚;  张志伟
caj(455Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:453/106  |  提交时间:2016/07/06
两步生长法  Gaas  Ingaas  Mocvd  
新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计 期刊论文
发光学报, 2015, 期号: 01, 页码: 75-79
作者:  赵旭;  缪国庆;  张志伟;  曾玉刚
caj(398Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:423/113  |  提交时间:2016/07/06
红外探测器  Apsys  盖层  光谱响应度  暗电流  
2kW半导体激光加工光源 期刊论文
发光学报, 2013, 期号: 03, 页码: 334-339
作者:  张志军;  刘云;  缪国庆;  王立军
caj(1244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:477/131  |  提交时间:2014/03/07
半导体激光阵列  光纤耦合  高亮度  合束技术  
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:  王新建;  宋航;  黎大兵;  蒋红;  李志明;  缪国庆;  陈一仁;  孙晓娟
caj(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:870/206  |  提交时间:2013/03/11
Aln  Gan缓冲层  晶体结构  晶粒尺寸  
SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 08, 页码: 879-882
作者:  贾辉;  陈一仁;  孙晓娟;  黎大兵;  宋航;  蒋红;  缪国庆;  李志明
caj(199Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:802/201  |  提交时间:2013/03/11
Sio2纳米颗粒  A-algan  Msm紫外探测器  
一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-07-25, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  李志明;  孙晓娟;  宋航;  黎大兵;  陈一仁;  缪国庆;  蒋红
Adobe PDF(206Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:760/97  |  提交时间:2012/08/29
氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 07, 页码: 768-773
作者:  王新建;  宋航;  黎大兵;  蒋红;  李志明;  缪国庆;  陈一仁;  孙晓娟
caj(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/205  |  提交时间:2013/03/11
杂质  氮化物  热扩散  
初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 581-585
作者:  贾辉;  陈一仁;  孙晓娟;  黎大兵;  宋航;  蒋红;  缪国庆;  李志明
caj(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:817/181  |  提交时间:2013/03/11
A-gan  各向异性  拉曼散射光谱  残余应变  
湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-06-13, 公开日期: 2012-06-13
发明人:  李志明;  孙晓娟;  宋航;  黎大兵;  陈一仁;  缪国庆;  蒋红
Adobe PDF(389Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:628/71  |  提交时间:2012/08/29
正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-06-13, 公开日期: 2012-06-13
发明人:  李志明;  孙晓娟;  宋航;  黎大兵;  陈一仁;  缪国庆;  蒋红
Adobe PDF(382Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:653/80  |  提交时间:2012/08/29