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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
Ion implantation isolation based micro-light-emitting diode device array properties 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2020, 卷号: 69, 期号: 2, 页码: 7
作者:  C. H. Gao,F. Xu,L. Zhang,D. S. Zhao,X. Wei,L. J. Che,Y. Z. Zhuang,B. S. Zhang and J. Zhang
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背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  韩五月
caj(3096Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：150/0  |  提交时间：2019/09/23
光电探测器  日盲紫外  AlGaN材料  金属有机化学气相沉积  金属-绝缘层-半导体结构  
V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  付英昊
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氮化镓  金属有机物气相沉积  V形坑缺陷  
石墨烯应用于GaN基材料的研究进展 期刊论文
发光学报, 2016, 期号: 7, 页码: 778-785
作者:  徐昌一
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石墨烯  Gan材料  石墨烯gan接触  
Graphene applied to GaN based materals 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 7
作者:  Xu, C.-Y.
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Growth dynamics and carrier control of the third generation semiconductor with large mismatch and strong polarization 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者:  Wang, X.-Q.;  D.-B. Li;  B. Liu;  Q. Sun and J.-C. Zhang
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石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者:  徐昌一
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石墨烯  Gan  探测器  Mocvd  肖特基接触  
偏振发光二极管的设计研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者:  周昂
Adobe PDF(2857Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：331/3  |  提交时间：2016/04/11
发光二极管  光子晶体  偏振层  液晶  可调谐器件  数值模拟  
LED微阵列器件的热学性能分析及热沉结构设计 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者:  李贺
Adobe PDF(3055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：251/2  |  提交时间：2016/04/11
热学特性  有限元分析  Led微阵列  热沉结构