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| AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者: 贲建伟; 孙晓娟 ; 蒋科; 陈洋; 石芝铭; 臧行; 张山丽; 黎大兵; 吕威
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AlGaN基材料 外延生长 掺杂 紫外发光器件 紫外探测 |
| AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 蒋科
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AlN AlGaN 类同质外延 日盲紫外探测器 |
| 背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者: 韩五月
caj(3096Kb) | 收藏 | 浏览/下载：184/0 | 提交时间：2019/09/23
光电探测器 日盲紫外 AlGaN材料 金属有机化学气相沉积 金属-绝缘层-半导体结构 |
| 局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 包广宏
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Algan日盲紫外探测器 表面等离激元 Al颗粒制备 |
| AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 陈一仁
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