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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
浏览  |  Adobe PDF(4280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：357/136  |  提交时间：2021/07/06
AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
AlN材料中缺陷调控及物性研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  贲建伟
caj(8583Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：104/0  |  提交时间：2020/08/24
AlN  表面/界面  MOCVD  高温热处理  折射率  
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
浏览  |  Adobe PDF(2069Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：186/37  |  提交时间：2020/08/24
Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
Experiment of New Protype Group III-nitride UV Image Converter Tube and Evaluation of Detectable Distance of Missile Approach Warning System with It 期刊论文
Binggong Xuebao/Acta Armamentarii, 2017, 卷号: 38, 期号: 5
作者:  Ren, B.;  Z.-T. Jiang;  H. Guo;  F. Shi;  H.-C. Cheng;  X.-F. Bai;  Z.-H. Shen;  X.-B. Yang;  Y. Zhou and M.-H. Cui
浏览  |  Adobe PDF(501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：393/119  |  提交时间：2018/06/13
Growth dynamics and carrier control of the third generation semiconductor with large mismatch and strong polarization 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者:  Wang, X.-Q.;  D.-B. Li;  B. Liu;  Q. Sun and J.-C. Zhang
浏览  |  Adobe PDF(2816Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：407/122  |  提交时间：2017/09/11
Effects of Ti-coated SiCPon structures and mechanical properties of SiCP/Al2014 composites 期刊论文
Fuhe Cailiao Xuebao/Acta Materiae Compositae Sinica, 2016, 卷号: 33, 期号: 10
作者:  Lei, Z.;  W. Zhao;  C. Yu;  H. Zhao;  S. Shu and F. Qiu
Adobe PDF(1241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：343/111  |  提交时间：2017/09/11
两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质 期刊论文
发光学报, 2015, 期号: 03, 页码: 288-292
作者:  韩智明;  缪国庆;  曾玉刚;  张志伟
caj(455Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：329/87  |  提交时间：2016/07/06
两步生长法  Gaas  Ingaas  Mocvd  
InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  韩智明
Adobe PDF(3244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1274/1  |  提交时间：2015/05/03
金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层  
局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  包广宏
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Algan日盲紫外探测器  表面等离激元  Al颗粒制备  
高重频CO2激光损伤HgCdTe晶体的机理研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  汤伟
Adobe PDF(3523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：536/1  |  提交时间：2014/08/21