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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Journal of Physics D-Applied Physics
语种:英语
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Single beta-Ga2O3 microbelt solar-blind photodetector with high specific detectivity, high rejection ratio and fast speed
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 36, 页码: 8
作者:
Z. Y. Zheng
;
K. W. Liu
;
Z. Cheng
;
B. S. Qiao
;
X. Chen
;
C. Zhou
;
J. L. Yang
;
Q. Ai
;
Y. X. Zhu
;
B. H. Li
;
L. Liu and D. Z. Shen
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提交时间:2023/06/14
Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 卷号: 53, 期号: 23, 页码: 6
作者:
C. H. Kai,X. J. Sun,Y. P. Jia,K. Jiang,Z. M. Shi,J. W. Ben,Y. Wu,Y. Wang and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Zn vacancies creation via (2 x 2) surface reconstruction
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 卷号: 50, 期号: 32
作者:
Xie, X. H.
;
B. H. Li
;
Z. Z. Zhang and D. Z. Shen
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提交时间:2018/06/13
Organic holographic polymer dispersed liquid crystal distributed feedback laser from different diffraction orders
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2016, 卷号: 49, 期号: 46
作者:
Liu, M. H.
;
Y. G. Liu
;
G. Y. Zhang
;
Z. H. Peng
;
D. Y. Li
;
J. Ma and L. Xuan
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提交时间:2017/09/11
Hole-mediated ferromagnetic enhancement and stability in Cu-doped ZnOS alloy thin films
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 7
作者:
Li Y. F.
;
Pan H. L.
;
Yao B.
;
Deng R.
;
Xu Y.
;
Li J. C.
;
Zhang L. G.
;
Zhao H. F.
;
Shen D. Z.
;
Wu T.
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提交时间:2012/10/21
A very high efficiency electrophosphorescent device doped with short triplet lifetime phosphor using multi-recombination zones
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 10
作者:
Yang D. F.
;
Han L. L.
;
Li W. L.
;
Chu B.
;
Su Z. S.
;
Zhang D. Y.
;
Li T. L.
;
Zhang G.
;
Zhu J. Z.
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提交时间:2012/10/21
Enhanced electroluminescence and reduced efficiency roll-off in electrophosphorescent devices using a very high electron mobility material as emitter host and electron transporter
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 6
作者:
Li T. L.
;
Li W. L.
;
Chu B.
;
Su Z. S.
;
Chen Y. R.
;
Han L. L.
;
Zhang D. Y.
;
Li X.
;
Zang F. X.
;
Sum T. C.
;
Huan A. C. H.
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提交时间:2012/10/21
Degenerate layer at ZnO/sapphire interface
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 19
作者:
Li L.
;
Shan C. X.
;
Wang S. P.
;
Li B. H.
;
Zhang J. Y.
;
Yao B.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
;
Lu Y. M.
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提交时间:2012/10/21
Ultraviolet photodiode based on p-Mg0.2Zn0.8O/n-ZnO heterojunction with wide response range
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 10
作者:
Li Y. F.
;
Yao B.
;
Deng R.
;
Li B. H.
;
Zhang J. Y.
;
Zhao Y. M.
;
Jiang D. Y.
;
Zhang Z. Z.
;
Shan C. X.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
;
Lu Y. M.
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浏览/下载:657/153
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提交时间:2012/10/21
Growth and photoluminescence of vertically aligned ZnO nanowires/nanowalls
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 13
作者:
Fang F.
;
Zhao D. X.
;
Li B. H.
;
Zhang Z. Z.
;
Zhang J. Y.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2012/10/21