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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文 Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5 作者: Chen Y. R.; Song H. ; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文 Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12 作者: You K.; Jiang H.; Li D. B.; Sun X. J.; Song H. ; Chen Y. R.; Li Z. M.; Miao G. Q.; Liu H. B.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文 Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12 作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H. ; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文 Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1 作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H. ; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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| Ultraviolet photoluminescence from 3C-SiC nanorods 期刊论文 Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14 作者: Zhang L. G.; Yang W. Y.; Jin H.; Zheng Z. H.; Xie Z. P.; Miao H. Z.; An L. N.
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| Optical properties of single-crystalline - Si3 N4 nanobelts 期刊论文 Applied Physics Letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 6, 页码: 1-3 作者: Zhang L.; Jin H.; Yang W.; Xie Z.; Miao H.; An L.
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| Optical properties of single-crystalline alpha-Si3N4 nanobelts 期刊论文 Applied Physics Letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 6 作者: Zhang L. G.; Jin H.; Yang W. Y.; Xie Z. P.; Miao H. H.; An L. N.
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