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MOCVD growth of MgGa2O4 thin films for high-performance solar-blind UV photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 120, 期号: 1, 页码: 6
作者:  Q. C. Hou;  K. W. Liu;  D. Y. Han;  Y. X. Zhu;  X. Chen;  B. H. Li;  L. Liu and D. Z. Shen
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Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  Y. Chen;  Z. H. Zhang;  Y. P. Jia;  Z. M. Shi and D. B. Li
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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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The origin of the strong microwave absorption in black TiO2 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 18
作者:  Li, K. X.;  J. L. Xu;  X. D. Yan;  L. Liu;  X. B. Chen;  Y. S. Luo;  J. He and D. Z. Shen
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