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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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中科院长春光机所知识... [8]
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收录类别:SCI
出处:Journal of Crystal Growth
语种:英语
专题:中科院长春光机所知识产出
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Degenerated MgZnO films obtained by excessive zinc
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2012, 卷号: 347, 期号: 1, 页码: 95-98
作者:
Liu J. S.
;
Shan C. X.
;
Wang S. P.
;
Li B. H.
;
Zhang Z. Z.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2012/10/21
A facile route to arsenic-doped p-type ZnO films
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 14, 页码: 3577-3580
作者:
Wang S. P.
;
Shan C. X.
;
Li B. H.
;
Zhang J. Y.
;
Yao B.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
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浏览/下载:654/107
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提交时间:2012/10/21
Effects of low-temperature-grown ZnO buffer layer and Zn/O ratio on the properties of high-temperature-overgrown ZnO main layer on Si substrate by MBE
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 373-377
作者:
Lu Y. M.
;
Wang X.
;
Zhang Z. Z.
;
Shen D. Z.
;
Su S. C.
;
Yao B.
;
Li B. H.
;
Zhang J. Y.
;
Zhao D. X.
;
Fan X. W.
;
Tang Z. K.
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浏览/下载:605/140
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提交时间:2012/10/21
Effects of RF power on properties of ZnO thin films grown on Si(001) substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1—2, 页码: 179-185
作者:
Li B. S.
;
Liu Y. C.
;
Shen D. Z.
;
Zhang J. Y.
;
Lu Y. M.
;
Fan X. W.
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浏览/下载:545/168
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提交时间:2012/10/21
The photoluminescence of ZnO thin films grown on Si (100) substrate by plasma-enhanced chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3—4, 页码: 479-483
作者:
Li B. S.
;
Liu Y. C.
;
Zhi Z. Z.
;
Shen D. Z.
;
Lu Y. M.
;
Zhang J. Y.
;
Fan X. W.
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提交时间:2012/10/21
The formation mechanism of self-assembled CdSe quantum dots
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 4, 页码: 785-790
作者:
Yang Y.
;
Shen D. Z.
;
Zhang J. Y.
;
Fan X. W.
;
Li B. S.
;
Lu Y. M.
;
Liu Y. C.
;
Liu Y. N.
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提交时间:2012/10/21
Growth of diamond on silicon tips
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 3, 页码: 382-385
作者:
Yuan G.
;
Jin Y.
;
Jin C.
;
Zhang B.
;
Song H.
;
Ning Y.
;
Zhou T.
;
Jiang H.
;
Li S.
;
Tian Y.
;
Gu C.
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提交时间:2012/10/21
Isotropic growth islands of Ga0.16In0.84As0.80Sb0.20 epilayer grown by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1997, 卷号: 173, 期号: 3—4, 页码: 321-324
作者:
Li S. W.
;
Jin Y. X.
;
Gao C. X.
;
Jin Z. S.
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提交时间:2012/10/21