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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:SCI
出处:Applied Physics Letters
文献类型:期刊论文
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Sign reversal of planar Hall effect with temperature in La-doped Sr2IrO4 films
期刊论文
Applied Physics Letters, 2023, 卷号: 122, 期号: 2, 页码: 6
作者:
M. R. Liu
;
J. N. Yue
;
J. C. Meng
;
T. N. Shao
;
C. L. Yao
;
X. J. Sun
;
J. C. Nie and D. B. Li
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提交时间:2024/07/03
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
Y. X. Chen
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
Y. Chen
;
Z. H. Zhang
;
Y. P. Jia
;
Z. M. Shi and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:
J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Thermal analysis of high-bandwidth and energy-efficient 980 nm VCSELs with optimized quantum well gain peak-to-cavity resonance wevelength offset
期刊论文
Applied Physics Letters, 2017, 卷号: 111, 期号: 24
作者:
Li, H.
;
P. Wolf
;
X. W. Jia
;
J. A. Lott and D. Bimberg
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提交时间:2018/06/13
The origin of the strong microwave absorption in black TiO2
期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 18
作者:
Li, K. X.
;
J. L. Xu
;
X. D. Yan
;
L. Liu
;
X. B. Chen
;
Y. S. Luo
;
J. He and D. Z. Shen
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提交时间:2017/09/11
Fabry-Perot resonance enhanced electrically pumped random lasing from ZnO films
期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 107, 期号: 23, 页码: 4
作者:
Ni, P. N.
;
C. X. Shan
;
S. P. Wang
;
Y. J. Lu
;
B. H. Li and D. Z. Shen
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提交时间:2016/07/15
Realization of unbiased photoresponse in amorphous InGaZnO ultraviolet detector via a hole-trapping process
期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 106, 期号: 17, 页码: 5
作者:
Jiang, D. L.
;
L. Li
;
H. Y. Chen
;
H. Gao
;
Q. Qiao
;
Z. K. Xu and S. J. Jiao
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提交时间:2016/07/15
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2015/04/24
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:
You K.
;
Jiang H.
;
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Li Z. M.
;
Miao G. Q.
;
Liu H. B.
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提交时间:2012/10/21