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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:EI
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Light-Emitting Devices Modulated by Multilevel Resistive Memories
期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 1006-1011
作者:
Yang, X.
;
Shan, C. X.
;
Liu, Q.
;
Jiang, M. M.
;
Lu, Y. J.
;
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Shen, D. Z.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting devices
resistive random access memories
multilevel
switching
diodes
xps
emission
blue
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Optics
Physics
High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes
期刊论文
Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9077-9082
作者:
Han, W. Y.
;
Zhang, Z. W.
;
Li, Z. M.
;
Chen, Y. R.
;
Song, H.
;
Miao, G. Q.
;
Fan, F.
;
Chen, H. F.
;
Liu, Z.
;
Jiang, H.
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提交时间:2019/09/17
p-i-n
photodetectors
template
films
Engineering
Materials Science
Physics
Modulating the Surface State of SiC to Control Carrier Transport in Graphene SiC
期刊论文
Small, 2018, 卷号: 14, 期号: 26, 页码: 7
作者:
Jia, Y. P.
;
Sun, X. J.
;
Shi, Z. M.
;
Jiang, K.
;
Liu, H. N.
;
Ben, J. W.
;
Li, D. B.
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提交时间:2019/09/17
carrier transport
graphene
KPFM
surface states
scale epitaxial graphene
transistors
face
frequency
charge
air
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:
Chen, Y. R.
;
Zhang, Z. W.
;
Jiang, H.
;
Li, Z. M.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
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提交时间:2019/09/17
threading dislocations
nucleation layer
gan
temperature
sapphire
Materials Science
Physics
Effect of distances between lens and sample surface on laser-induced breakdown spectroscopy with spatial confinement
期刊论文
Plasma Science & Technology, 2018, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 8
作者:
Jiang, Z. H.
;
Shao, J. F.
;
Wang, T. F.
;
Guo, J.
;
Zhang, D.
;
Chen, A. M.
;
Jin, M. X.
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提交时间:2019/09/17
laser-induced breakdown spectroscopy
LIBS
spatial confinement
distance of lens-to-sample
signal enhancement
optical-emission
induced plasmas
cu plasma
ablation
enhancement
spectrometry
spectra
argon
Physics
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
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Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
behaviors
mechanism
breakdown
layer
power
ti
Chemistry
Materials Science
Metallurgy & Metallurgical Engineering
Numerical Analysis of the Water Film Characteristics in the Eccentric State of a Radial Piston Pump
期刊论文
Ieee Access, 2018, 卷号: 6, 页码: 15274-15282
作者:
Jiang, Q.
;
Yang, H. B.
;
Yu, Y.
;
Cai, L. M.
;
Cheng, X. K.
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Equivalent liquid resistance
leakage
piston pump
pressure
distribution
self-adaptive eccentricity
thermal-elastohydrodynamic lubrication
integral transform
reynolds-equation
fluid
cylinder
Computer Science
Engineering
Telecommunications
Passive Micropump for Highly Stable, Long-Termed, and Large Volume of Droplet GenerationTransport Inside 3D Microchannels Capable of Surfactant-Free and Droplet-Based Thermocycled Reverse Tran
期刊论文
Analytical Chemistry, 2018, 卷号: 90, 期号: 20, 页码: 11925-11932
作者:
Li, Y. M.
;
Jiang, Y. Y.
;
Wang, K. N.
;
Wu, W. M.
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continuous-flow pcr
microfluidic control
sample injection
syringe
pump
device
chip
pdms
miniaturization
amplification
microdevice
Chemistry
Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7527-7531
作者:
Fu, Y. H.
;
Sun, X. J.
;
Ben, J. W.
;
Jiang, K.
;
Jia, Y. P.
;
Liu, H. A.
;
Li, Z. M.
;
Li, D. B.
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提交时间:2019/09/17
GaN
MOCVD
Defects
V-Pits
raman-scattering
quantum-wells
nitrides
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing
期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:
Ben, J. W.
;
Sun, X. J.
;
Jia, Y. P.
;
Jiang, K.
;
Shi, Z. M.
;
Liu, H. N.
;
Wang, Y.
;
Kai, C. H.
;
Wu, Y.
;
Li, D. B.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
high-quality aln
growth
temperature
sapphire
algan
efficiency
ratio
Chemistry
Crystallography