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| Enhanced performance of GaAs-based betavoltaic batteries by using AlGaAs hole/electron transport layers 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 30, 页码: 9
作者: R. Z. Zheng; J. B. Lu; Y. Wang; L. Liang; Y. G. Zeng; L. Qin; Y. Y. Chen; X. Zhang; Z. Y. Chen; X. Y. Li; X. X. Yuan and Y. M. Liu
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| A very high efficiency electrophosphorescent device doped with short triplet lifetime phosphor using multi-recombination zones 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 10
作者: Yang D. F.; Han L. L.; Li W. L.; Chu B.; Su Z. S.; Zhang D. Y.; Li T. L.; Zhang G.; Zhu J. Z.
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| Degenerate layer at ZnO/sapphire interface 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 19
作者: Li L. ; Shan C. X.; Wang S. P.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Yao B.; Shen D. Z.; Fan X. W.; Lu Y. M.
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| Ultraviolet photodiode based on p-Mg0.2Zn0.8O/n-ZnO heterojunction with wide response range 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 10
作者: Li Y. F.; Yao B.; Deng R.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Zhao Y. M.; Jiang D. Y.; Zhang Z. Z.; Shan C. X.; Shen D. Z.; Fan X. W.; Lu Y. M.
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| Growth and photoluminescence of vertically aligned ZnO nanowires/nanowalls 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 13
作者: Fang F.; Zhao D. X.; Li B. H.; Zhang Z. Z.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.
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| MgNiO-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 9
作者: Zhao Y. M.; Zhang J. Y.; Jiang D. Y.; Shan C. X.; Zhang Z. Z.; Yao B.; Zhao D. X.; Shen D. Z.
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| MgxZn1-xO solar-blind photodetector grown by radio frequency magnetron sputtering 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 2
作者: Jiang D. Y.; Shan C. X.; Zhang J. Y.; Lu Y. M.; Yao B.; Zhao D. X.; Zhang Z. Z.; Shen D. Z.; Yang C. L.
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| Efficient white organic light-emitting devices based on blue, orange, red phosphorescent dyes 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5
作者: Chen P.; Zhang L. Y.; Duan Y.; Xie W. F.; Zhao Y.; Hou J. Y.; Liu S. Y.; Li B.
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| Phase transition of cadmium selenide thin films in MOCVD growth process 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 1
作者: Ju Z. G.; Lu Y. M.; Shan C. X.; Zhang J. Y.; Yao B.; Shen D. Z.
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| The compensation source in nitrogen doped ZnO 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 24
作者: Li L.; Shan C. X.; Li B. H.; Yao B.; Zhang J. Y.; Zhao D. X.; Zhang Z. Z.; Shen D. Z.; Fan X. W.; Lu Y. M.
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