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The compensation source in nitrogen doped ZnO
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Li L.; Shan C. X.; Li B. H.; Yao B.; Zhang J. Y.; Zhao D. X.; Zhang Z. Z.; Shen D. Z.; Fan X. W.; Lu Y. M.
2008
发表期刊Journal of Physics D-Applied Physics
ISSN0022-3727
卷号41期号:24
摘要Nitrogen doped zinc oxide (ZnO) films have been prepared by molecular beam epitaxy. The as-grown samples show n-type conduction, but they convert to p-type after being annealed in O(2) atmosphere. X-ray photoelectron spectroscopy reveals that the conversion is mainly caused by the escaping of substituted N molecule (N(2))(O) donors from the films, and photoluminescence spectroscopy confirms the extraction of (N(2))(O). The work shown in this paper reveals experimentally that the main compensation source in nitrogen doped ZnO is (N(2))O donors instead of intrinsic donors or background impurities, and annealing in oxygen may be a promising route to p-ZnO.
收录类别SCI ; EI
语种英语
文献类型期刊论文
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专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
Li L.,Shan C. X.,Li B. H.,et al. The compensation source in nitrogen doped ZnO[J]. Journal of Physics D-Applied Physics,2008,41(24).
APA Li L..,Shan C. X..,Li B. H..,Yao B..,Zhang J. Y..,...&Lu Y. M..(2008).The compensation source in nitrogen doped ZnO.Journal of Physics D-Applied Physics,41(24).
MLA Li L.,et al."The compensation source in nitrogen doped ZnO".Journal of Physics D-Applied Physics 41.24(2008).
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