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Low fluorescence crosstalk patterning of quantum dots based on laser drilling and micropore filling 期刊论文
Applied Physics Letters, 2023, 卷号: 123, 期号: 10
作者:  J. Li;  K. Zheng;  W. Sun;  L. Zhu;  J. Tao;  P. Li;  K. Fan;  J. Lv;  Y. Qin;  B. Zhao;  Y. Zhao;  Y. Chen;  J. Liang and W. Wang
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Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Y. Chen;  S. Zhang;  J. Ben;  Y. Chen;  Z.-H. Zhang;  Y. Jia;  Z. Shi and D. Li
浏览  |  Adobe PDF(2688Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：134/45  |  提交时间：2022/06/13
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：173/57  |  提交时间：2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:  K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
浏览  |  Adobe PDF(1812Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：163/53  |  提交时间：2021/07/06
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：481/109  |  提交时间：2015/04/24
Ultrafast carrier dynamics in CuInS2 quantum dots 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 4
作者:  Sun J. H.;  Zhu D. H.;  Zhao J. L.;  Ikezawa M.;  Wang X. Y.;  Masumoto Y.
浏览  |  Adobe PDF(1170Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：300/58  |  提交时间：2015/04/24
Shell-thickness-dependent photoinduced electron transfer from CuInS 2/ZnS quantum dots to TiO2 films 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 期号: 102
作者:  Sun J.;  Zhao J.;  Masumoto Y.
Adobe PDF(1157Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：294/65  |  提交时间：2014/05/14
Erratum: Estimating the pressure of laser-induced plasma shockwave by stimulated Raman shift of lattice translational modes (Applied Physics Letters (2012) 101 (021908)) 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 7
作者:  Li Z.;  Shan X.;  Cao J.;  Zhou M.;  Wang Y.;  Men Z.;  Sun C.
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Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
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Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
Adobe PDF(782Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：629/152  |  提交时间：2012/10/21