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| AlN材料中缺陷调控及物性研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 贲建伟
 caj(8583Kb) |  收藏 | 浏览/下载：134/0 | 提交时间：2020/08/24
AlN 表面/界面 MOCVD 高温热处理 折射率 |
| AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 蒋科
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AlN AlGaN 类同质外延 日盲紫外探测器 |
| Experiment of New Protype Group III-nitride UV Image Converter Tube and Evaluation of Detectable Distance of Missile Approach Warning System with It 期刊论文
Binggong Xuebao/Acta Armamentarii, 2017, 卷号: 38, 期号: 5
作者: Ren, B.; Z.-T. Jiang; H. Guo; F. Shi; H.-C. Cheng; X.-F. Bai; Z.-H. Shen; X.-B. Yang; Y. Zhou and M.-H. Cui
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| Graphene applied to GaN based materals 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 7
作者: Xu, C.-Y.
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| Growth dynamics and carrier control of the third generation semiconductor with large mismatch and strong polarization 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者: Wang, X.-Q.; D.-B. Li; B. Liu; Q. Sun and J.-C. Zhang
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| Effects of Ti-coated SiCPon structures and mechanical properties of SiCP/Al2014 composites 期刊论文
Fuhe Cailiao Xuebao/Acta Materiae Compositae Sinica, 2016, 卷号: 33, 期号: 10
作者: Lei, Z.; W. Zhao; C. Yu; H. Zhao; S. Shu and F. Qiu
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| 石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者: 徐昌一
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石墨烯 Gan 探测器 Mocvd 肖特基接触 |
| 两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质 期刊论文
发光学报, 2015, 期号: 03, 页码: 288-292
作者: 韩智明; 缪国庆 ; 曾玉刚; 张志伟
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两步生长法 Gaas Ingaas Mocvd |
| 扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展 期刊论文
材料导报, 2014, 期号: 23, 页码: 28-33
作者: 陈芳; 魏志鹏; 刘国军; 唐吉龙; 房丹; 方铉; 高娴; 赵海峰; 王双鹏
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扫描近场光学显微技术 半导体材料 超高空间高分辨率 |
| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
