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| A facile route to arsenic-doped p-type ZnO films 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 14, 页码: 3577-3580 作者: Wang S. P.; Shan C. X.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Yao B.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| Effects of low-temperature-grown ZnO buffer layer and Zn/O ratio on the properties of high-temperature-overgrown ZnO main layer on Si substrate by MBE 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 373-377 作者: Lu Y. M.; Wang X.; Zhang Z. Z.; Shen D. Z.; Su S. C.; Yao B.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Zhao D. X.; Fan X. W.; Tang Z. K.
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| Effects of thermal treatment on the properties of ZnO films deposited on MgO-buffered Si substrates 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1—2, 页码: 86-91 作者: Chen S. J.; Liu Y. C.; Ma J. G.; Lu Y. M.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| High intense UV-luminescence of nanocrystalline ZnO thin films prepared by thermal oxidation of ZnS thin films 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3—4, 页码: 463-466 作者: Zhang X. T.; Liu Y. C.; Zhi Z. Z.; Zhang J. Y.; Lu Y. M.; Xu W.; Shen D. Z.; Zhong G. Z.; Fan X. W.; Kong X. G.
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| Structural and optical properties of Mg chi Zn1-chi O thin films prepared by the sol-gel method 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2—3, 页码: 427-430 作者: Zhao D. X.; Liu Y. C.; Shen D. Z.; Lu Y. M.; Zhang J. Y.; Fan X. W.
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| High-quality ZnO thin films prepared by two-step thermal oxidation of the metallic Zn 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3—4, 页码: 467-472 作者: Chen S. J.; Liu Y. C.; Ma J. G.; Zhao D. X.; Zhi Z. Z.; Lu Y. M.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| Growth and characterization of ZnCdTe-ZnTe quantum wells on ZnO coated Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 4, 页码: 795-798 作者: Shan C. X.; Fan X. W.; Zhang J. Y.; Zhang Z. Z.; Ma J. G.; Lu Y. M.; Liu Y. C.; Shen D. Z.
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| Effective elastic constants in ZnSe-ZnSe1-xSx strained-layer superlattices 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 1996, 卷号: 159, 期号: 1—4, 页码: 485-488 作者: Guan Z. P.; Fan X. W.; Xia H.; Jiang S. S.; Zhang X. K.
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