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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:EI
出处:Applied Physics Letters
文献类型:期刊论文
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Grain boundary-driven magnetism in aluminum nitride
期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 36951, 期号: 121, 页码: 24
作者:
Z. Shi
;
H. Zang
;
X. Ma
;
Y. Yang
;
K. Jiang
;
Y. Chen
;
Y. Jia
;
X. Sun and D. Li
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提交时间:2023/06/14
Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:
K. Jiang
;
X. Sun
;
Y. Chen
;
S. Zhang
;
J. Ben
;
Y. Chen
;
Z.-H. Zhang
;
Y. Jia
;
Z. Shi and D. Li
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提交时间:2022/06/13
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Ultrabroadband and independent polarization of optical amplification with InGaAs-based indium-rich cluster quantum-confined structure
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 5
作者:
M. Zheng
;
Q. N. Yu
;
X. Li
;
H. X. Tai
;
X. Zhang
;
J. W. Zhang
;
Y. Q. Ning and J. Wu
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提交时间:2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:
J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2015/04/24
High Mg-content wurtzite MgZnO alloys and their application in deep-ultraviolet light-emitters pumped by accelerated electrons
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Ni P. N.
;
Shan C. X.
;
Li B. H.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2015/04/24
Single-crystalline cubic MgZnO films and their application in deep-ultraviolet optoelectronic devices
期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 13
作者:
Wang L. K.
;
Ju Z. G.
;
Zhang J. Y.
;
Zheng J.
;
Shen D. Z.
;
Yao B.
;
Zhao D. X.
;
Zhang Z. Z.
;
Li B. H.
;
Shan C. X.
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提交时间:2012/10/21
In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN
期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
作者:
Hu W. G.
;
Ma B.
;
Li D. B.
;
Miyake H.
;
Hiramatsu K.
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提交时间:2012/10/21
Valence-band offset of epitaxial ZnOMgO (111) heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 19
作者:
Li Y. F.
;
Yao B.
;
Lu Y. M.
;
Li B. H.
;
Gai Y. Q.
;
Cong C. X.
;
Zhang Z. Z.
;
Zhao D. X.
;
Zhang J. Y.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
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提交时间:2012/10/21