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Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  Y. Chen;  Z. H. Zhang;  Y. P. Jia;  Z. M. Shi and D. B. Li
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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 23
作者:  Xie X. H.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Wang S. P.;  Jiang M. M.;  Shan C. X.;  Zhao D. X.;  Chen H. Y.;  Shen D. Z.
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High efficiency electrophosphorescence device using a thin cleaving layer in an Ir-complex doped emitter layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 25
作者:  Yang D. F.;  Li W. L.;  Chu B.;  Zhang D. Y.;  Zhu J. Z.;  Su Z. S.;  Su W. M.;  Han L. L.;  Bi D. F.;  Chen Y. R.;  Yan F.;  Liu H. H.;  Wang D.
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Broad wavelength modulating and design of organic white diode based on lighting by using exciplex emission from mixed acceptors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 23
作者:  Wang D.;  Li W. L.;  Su Z. S.;  Li T. L.;  Chu B.;  Bi D. F.;  Chen L. L.;  Su W. M.;  He H.
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