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Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Y. Chen;  S. Zhang;  J. Ben;  Y. Chen;  Z.-H. Zhang;  Y. Jia;  Z. Shi and D. Li
浏览  |  Adobe PDF(2688Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：97/34  |  提交时间：2022/06/13
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  Y. Chen;  Z. H. Zhang;  Y. P. Jia;  Z. M. Shi and D. B. Li
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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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Realization of unbiased photoresponse in amorphous InGaZnO ultraviolet detector via a hole-trapping process 期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 106, 期号: 17, 页码: 5
作者:  Jiang, D. L.;  L. Li;  H. Y. Chen;  H. Gao;  Q. Qiao;  Z. K. Xu and S. J. Jiao
浏览  |  Adobe PDF(1478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：331/58  |  提交时间：2016/07/15
Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 23
作者:  Xie X. H.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Wang S. P.;  Jiang M. M.;  Shan C. X.;  Zhao D. X.;  Chen H. Y.;  Shen D. Z.
Adobe PDF(1540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：362/92  |  提交时间：2014/05/14
Enhanced efficiency and reduced roll-off in nondoped phosphorescent organic light-emitting devices with triplet multiple quantum well structures 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 8
作者:  Liu S. M.;  Li B.;  Zhang L. M.;  Song H.;  Jiang H.
Adobe PDF(632Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：466/72  |  提交时间：2012/10/21