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| A quasi-continuous dual-end 885 nm diode-pumped three-mirror ring-cavity laser operating at 1319 nm 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2016, 卷号: 65, 期号: 15
作者: Xie, S. Y.; X. F. Zhang; X. Y. Le; C. L. Yang; Y. Bo; P. Y. Wang and Z. Y. Xu
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| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
| 延伸波长In0.82Ga0.18As 红外探测器器件结构优化设计 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 赵旭
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“铟镓砷” “暗电流” “apsys” |
| 便携式土壤养分近红外光谱分析仪电路系统研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者: 于新洋
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便携式 近红外光谱仪 土壤养分 线阵探测器 |
| 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2011-08-03, 公开日期: 2012-08-29
发明人: 缪国庆; 金亿鑫; 宋航; 蒋红; 黎大兵; 李志明; 孙晓娟; 陈一仁
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| 血清中胆固醇的近红外光谱测量及模型适用性研究 期刊论文
光谱学与光谱分析, 2011, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 375-378
作者: 卢启鹏
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| 非致冷In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外探测器研究 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 期号: 06, 页码: 1056-1058
作者: 缪国庆; 殷景志; 金亿鑫; 蒋红; 张铁民; 宋航
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金属有机化学气相沉积 铟镓砷 探测器 |
| 铟镓砷红外探测器 (实用新型) 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-08-27, 公开日期: 2003-08-27
发明人: 缪国庆; 金亿鑫; 蒋红; 周天明; 宋航
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| 生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 05, 页码: 465-468
作者: 缪国庆; 金亿鑫; 蒋红; 周天明; 李树玮; 元光; 宋航
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铟镓砷 生长温度 低压金属有机化学气相沉积 |
| Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响 期刊论文
半导体光电, 2002, 期号: 04, 页码: 271-273
作者: 缪国庆; 金亿鑫; 蒋红; 周天明; 李树玮; 元光; 宋航
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铟镓砷 Ⅴ/ⅲ比 低压金属有机化学气相沉积 |
