Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响 | |
缪国庆 ; 金亿鑫; 蒋红; 周天明; 李树玮; 元光; 宋航
| |
| 2002-10-30 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 05页码:465-468 |
| 关键词 | 铟镓砷 生长温度 低压金属有机化学气相沉积 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29107 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪国庆,金亿鑫,蒋红,等. 生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响[J]. 发光学报,2002(05):465-468. |
| APA | 缪国庆.,金亿鑫.,蒋红.,周天明.,李树玮.,...&宋航.(2002).生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响.发光学报(05),465-468. |
| MLA | 缪国庆,et al."生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响".发光学报 .05(2002):465-468. |
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