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光电探测系统噪声特性研究与降噪设计 期刊论文
光学精密工程, 2020, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 2674-2683
作者:  李乐;  汪龙祺;  黄煜;  林冠宇;  王维彪;  张航;  宋悦铭
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光电倍增管  噪声  高压电源  纹波  信噪比  
局域表面等离激元共振增强硅蓝光波段吸收特性研究（英文） 期刊论文
中国光学, 2020, 卷号: 13, 期号: 06, 页码: 1362-1384
作者:  王浩冰;  陶金;  吕金光;  孟德佳;  李阳;  赵永周;  王家先;  张军;  秦余欣;  王惟彪;  梁静秋
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局域表面等离激元  硅  蓝光  吸收率  有限时域差分法  
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
Absorption enhancement of silicon via localized surface plasmons resonance in blue band 期刊论文
Chinese Optics, 2020, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1362-1384
作者:  H.-B. Wang, J. Tao, J.-G. Lv, D.-J. Meng, Y. Li, Y.-Z. Zhao, J.-X. Wang, J. Zhang, Y.-X. Qin, W.-B. Wang and J.-Q. Liang
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AlGaN-based UV-C distributed Bragg reflector with a -cavity designed for an external cavity structure electron-beam-pumped VCSEL 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 820
作者:  Y. R. Chen, Z. W. Zhang, G. Q. Miao, H. Jiang, Z. M. Li and H. Song
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Epitaxial growth of polarization-graded AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors on pre-grown AlN templates 期刊论文
Materials Letters, 2020, 卷号: 281, 页码: 4
作者:  Y. R. Chen,Z. W. Zhang,G. Q. Miao,H. Jiang,Z. M. Li and H. Song
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Synthesis of Multilayer InSe0.82Te0.18 alloy for high performance near-infrared photodetector 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 815, 页码: 6
作者:  M. M. Yu,H. Li,F. Gao,Y. X. Hu,L. F. Wang,P. G. Hu and W. Feng
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Research on activation mechanism of AlGaN photocathodes in an ultra-high vacuum system 期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2020, 卷号: 118, 页码: 5
作者:  G. H. Tang,F. Yan and X. L. Chen
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Nonequilibrium hot-electron-induced wavelength-tunable incandescent-type light sources 期刊论文
Photonics Research, 2020, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 91-102
作者:  Z. P. Sun,M. M. Jiang,W. Q. Mao,C. X. Kan,C. X. Shan and D. Z. Shen
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Microstructure and temperature-dependence of Raman scattering properties of beta-(AlxGa1-x)(2)O-3 crystals 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2020, 卷号: 140, 页码: 9
作者:  X. Chen,W. L. Niu,L. Y. Wan,C. T. Xia,H. Y. Cui,D. N. Talwar and Z. C. Feng
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