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Interface engineering enhanced near-infrared electroluminescence in an n-ZnO microwire/p-GaAs heterojunction 期刊论文
Optics Express, 2022, 卷号: 30, 期号: 14, 页码: 24773-24787
作者:  J. T. Li;  B. H. Li;  M. Meng;  L. L. Sun and M. M. Jiang
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Beam waist shrinkage of high-power broad-area diode lasers by mode tailoring 期刊论文
Optics Express, 2020, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 13131-13140
作者:  J. X. Su, C. X. Tong, L. J. Wang, Y. J. Wang, H. Y. Lu, Z. D. Zhao, J. Wang, S. Y. Tan, S. L. Shu and L. J. Wang
浏览  |  Adobe PDF(1608Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：107/40  |  提交时间：2021/07/06
Mo/Si multilayers sputtered onto inclined substrates: experiments and simulations 期刊论文
Optics Express, 2020, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 13516-13531
作者:  S. Z. Sun,B. Yu,G. Tao,S. Yao,Y. Liu,W. Y. Deng,C. Li and C. S. Jin
浏览  |  Adobe PDF(3158Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：75/21  |  提交时间：2021/07/06
High-power and reliable GaN-based vertical light-emitting diodes on 4-inch silicon substrate 期刊论文
Optics Express, 2019, 卷号: 27, 期号: 20, 页码: A1506-A1516
作者:  S.J.Zhou;  H.H.Xu;  B.Tang;  Y.C.Liu;  H.Wan;  J.H.Miao
浏览  |  Adobe PDF(3290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：111/43  |  提交时间：2020/08/24
wall-plug efficiency,extraction efficiency,enhancement,titanium,contact,stress,layer,films,Optics  
Exciton-polariton light-emitting diode based on a ZnO microwire 期刊论文
Optics Express, 2017, 卷号: 25, 期号: 15
作者:  Zhang, Z.;  Y. L. Wang;  S. Y. Yin;  T. Hu;  Y. F. Wang;  L. M. Liao;  S. Luo;  J. Wang;  X. Y. Zhang;  P. N. Ni;  X. C. Shen;  C. X. Shan and Z. H. Chen
浏览  |  Adobe PDF(3093Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：333/104  |  提交时间：2018/06/13
High-power dual-wavelength lasing in bimodal-sized InGaAs/GaAs quantum dots 期刊论文
Optics Express, 2016, 卷号: 24, 期号: 25
作者:  Zhou, Y. L.;  J. Zhang;  Y. Q. Ning;  Y. G. Zeng;  J. W. Zhang;  X. Zhang;  L. Qin;  C. Z. Tong;  Y. Liu and L. J. Wang
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Improved performance of ZnO light-emitting devices by introducing a hole-injection layer 期刊论文
Optics Express, 2014, 卷号: 22, 期号: 14, 页码: 17524-17531
作者:  Lu Y. J.;  Li H. F.;  Shan C. X.;  Li B. H.;  Shen D. Z.;  Zhang L. G.;  Yu S. F.
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Design and comparison of GaAs, GaAsP and InGaAlAs quantum-well active regions for 808-nm VCSELs 期刊论文
Optics Express, 2011, 卷号: 19, 期号: 13, 页码: 12569-12581
作者:  Zhang Y.;  Ning Y. Q.;  Zhang L. S.;  Zhang J. S.;  Zhang J. W.;  Wang Z. F.;  Zhang J.;  Zeng Y. G.;  Wang L. J.
Adobe PDF(1817Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：493/94  |  提交时间：2012/10/21