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Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  Y. Chen;  Z. H. Zhang;  Y. P. Jia;  Z. M. Shi and D. B. Li
Adobe PDF(3040Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：71/46  |  提交时间：2023/06/14
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：148/51  |  提交时间：2021/07/06
Ultrabroadband and independent polarization of optical amplification with InGaAs-based indium-rich cluster quantum-confined structure 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 5
作者:  M. Zheng;  Q. N. Yu;  X. Li;  H. X. Tai;  X. Zhang;  J. W. Zhang;  Y. Q. Ning and J. Wu
浏览  |  Adobe PDF(1827Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：140/57  |  提交时间：2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(1823Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：124/43  |  提交时间：2021/07/06
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：371/102  |  提交时间：2015/04/24
High Mg-content wurtzite MgZnO alloys and their application in deep-ultraviolet light-emitters pumped by accelerated electrons 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 3, 页码: 4
作者:  Ni P. N.;  Shan C. X.;  Li B. H.;  Shen D. Z.
Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：340/75  |  提交时间：2015/04/24
Single-crystalline cubic MgZnO films and their application in deep-ultraviolet optoelectronic devices 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 13
作者:  Wang L. K.;  Ju Z. G.;  Zhang J. Y.;  Zheng J.;  Shen D. Z.;  Yao B.;  Zhao D. X.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Shan C. X.
Adobe PDF(583Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：554/118  |  提交时间：2012/10/21
In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
作者:  Hu W. G.;  Ma B.;  Li D. B.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
Adobe PDF(755Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：534/127  |  提交时间：2012/10/21
A direct first principles study on the structure and electronic properties of BexZn1-xO 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 12
作者:  Fan X. F.;  Zhu Z.;  Ong Y. S.;  Lu Y. M.;  Shen Z. X.;  Kuo J. L.
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Observation of 1.5 mu m photoluminescence and electroluminescence from a holmium organic complex 期刊论文
Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5115-5117
作者:  Zang F. X.;  Li W. L.;  Hong Z. R.;  Wei H. Z.;  Li M. T.;  Sun X. Y.;  Lee C. S.
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