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| Control of N/N(2) species ratio in NO plasma for p-type doping of ZnO 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5
作者: Chen X. Y.; Zhang Z. Z.; Yao B.; Jiang M. M.; Wang S. P.; Li B. H.; Shan C. X.; Liu L. ; Zhao D. X.; Zhao H. F.; Shen D. Z.
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| Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者: Sun X. J.; Li D. B.; Jiang H.; Li Z. M.; Song H.; Chen Y. R.; Miao G. Q.
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| Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As grown on InP substrate by LP-MOCVD 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者: Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Li D. B.; Sun X. J.; Chen Y. R.
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| Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者: Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Li D. B.; Sun X. J.; Chen Y. R.; Li Z. M.
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| Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者: Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Sun X. J.; Li D. B.; Chen Y. R.; Li Z. M.
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| Enhanced field emission from carbon nanotubes by electroplating of silver nanoparticles 期刊论文
Journal of Vacuum Science & Technology B, 2011, 卷号: 29, 期号: 4
作者: Chen L. F.; Mi Y. H.; Ni H. L.; Ji Z. G.; Xi J. H.; Pi X. D.; Zhao H. F.
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| Parameterizing intensity of 4f(2) -> 4f(2) electric-dipole transitions in Pr3+ doped LiYF4 期刊论文
Physics Letters A, 2011, 卷号: 375, 期号: 3, 页码: 743-746
作者: Zhang J. S.; Liu F.; Chen B. J.; Wang X. J.; Zhang J. H.
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| Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者: Li D. B.; Sun X. J.; Song H.; Li Z. M.; Chen Y. R.; Miao G. Q.; Jiang H.
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