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| Control of N/N(2) species ratio in NO plasma for p-type doping of ZnO 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5
作者: Chen X. Y.; Zhang Z. Z.; Yao B.; Jiang M. M.; Wang S. P.; Li B. H.; Shan C. X.; Liu L. ; Zhao D. X.; Zhao H. F.; Shen D. Z.
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| Interionic energy transfer in Y3Al5O12:Ce3+, Pr3+ phosphor 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 9
作者: Wang L.; Zhang X.; Hao Z. D.; Luo Y. S.; Zhang J. H.; Wang X. J.
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| The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11
作者: Gai Y. Q.; Li J. B.; Yao B.; Xia J. B.
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| Two-carrier transport and ferromagnetism in FeSe thin films 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 11
作者: Wu X. J.; Zhang Z. Z.; Zhang J. Y.; Li B. H.; Ju Z. G.; Lu Y. M.; Li B. S.; Shen D. Z.
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| Mn2+ concentration manipulated red emission in BaMg2Si2O7 : Eu2+,Mn2+ 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 101, 期号: 3
作者: Ye S.; Zhang J. H.; Zhang X.; Lu S. Z.; Ren X. G.; Wang X. J.
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| Optical and electrical properties of highly nitrogen-doped ZnO thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11
作者: Jiao S.; Lu Y. M.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Yao B.; Zhang J. Y.; Zhao D. X.; Shen D. Z.; Fan X.
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| Nitrogen-related recombination mechanisms in p-type ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 4
作者: Sun J. W.; Lu Y. M.; Liu Y. C.; Shen D. Z.; Zhang Z. Z.; Yao B.; Li B. H.; Zhang J. Y.; Zhao D. X.; Fan X. W.
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| Effects of nitrogen doping and illumination on lattice constants and conductivity behavior of zinc oxide grown by magnetron sputtering 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 12
作者: Yao B.; Shen D. Z.; Zhang Z. Z.; Wang X. H.; Wei Z. P.; Li B. H.; Lv Y. M.; Fan X. W.; Guan L. X.; Xing G. Z.; Cong C. X.; Xie Y. P.
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| Raman investigation of amorphous carbon in diamond film treated by laser 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 94-100
作者: Wu Q. H.; Yu L.; Ma Y. R.; Liao Y.; Fang R. C.; Zhang L. G.; Chen X. L.; Wang K.
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| Mechanism of donor-acceptor pair recombination in Mg-doped GaN epilayers grown on sapphire substrates 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1998, 卷号: 84, 期号: 4, 页码: 2082-2085
作者: Kang T. W.; Park S. H.; Song H.; Kim T. W.; Yoon G. S.; Kim C. O.
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