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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:SCI
发表日期:2011
语种:英语
专题:中科院长春光机所知识产出
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Design and comparison of GaAs, GaAsP and InGaAlAs quantum-well active regions for 808-nm VCSELs
期刊论文
Optics Express, 2011, 卷号: 19, 期号: 13, 页码: 12569-12581
作者:
Zhang Y.
;
Ning Y. Q.
;
Zhang L. S.
;
Zhang J. S.
;
Zhang J. W.
;
Wang Z. F.
;
Zhang J.
;
Zeng Y. G.
;
Wang L. J.
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提交时间:2012/10/21
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
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浏览/下载:596/129
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提交时间:2012/10/21
Aluminum nanocomposites having wear resistance better than stainless steel
期刊论文
Journal of Materials Research, 2011, 卷号: 26, 期号: 19, 页码: 2479-2483
作者:
An L. A.
;
Qu J.
;
Luo J. S.
;
Fan Y.
;
Zhang L. G.
;
Liu J. L.
;
Xu C. Y.
;
Blau P. J.
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提交时间:2012/10/21
Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As grown on InP substrate by LP-MOCVD
期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者:
Liu X.
;
Song H.
;
Miao G. Q.
;
Jiang H.
;
Cao L. Z.
;
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Chen Y. R.
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提交时间:2012/10/21
Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:
Liu X.
;
Song H.
;
Miao G. Q.
;
Jiang H.
;
Cao L. Z.
;
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Chen Y. R.
;
Li Z. M.
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提交时间:2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Li Z. M.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
;
Jiang H.
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提交时间:2012/10/21