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Growth and characterization of InAs-rich GaInAsSb alloys on GaSb substrates by MOCVD 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 1—2, 页码: 39-43
作者:  Ning Y. Q.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Li S. W.;  Yuan G.;  Tian Y.;  Jin Y. X.
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Theoretical analysis of the Auger mechanism in a GaInAsSb infrared photovoltaic detector 期刊论文
Optical Engineering, 1998, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 1754-1762
作者:  Tian Y.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jin Y. X.;  Ning Y. Q.;  Jiang H.;  Yuan G.
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Analysis of the R(0)A product and detectivity in a GaInAsSb infrared photovoltaic detector 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 1998, 卷号: 31, 期号: 22, 页码: 3291-3297
作者:  Tian Y. A.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jin Y. X.;  Jiang H.
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Growth of GaSb-rich and InAs-rich GaInAsSb alloys on GaSb substrates by MOCVD 期刊论文
Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 1998, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 121-125
作者:  Ning Y. Q.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Li S. W.;  Yuan G. A.;  Tian Y. A.;  Jin Y. X.
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Atomic force microscopy on the Ga0.16In0.84As0.80Sb0.20 epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Chinese Physics Letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 724-726
作者:  Gao C. X.;  Li S. W.;  Yang J.;  Liu B. B.
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