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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Introducing voids around the interlayer of AlN by high temperature annealing
期刊论文
Chinese Physics B, 2022, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 6
作者:
J. W. Ben
;
J. L. Luo
;
Z. C. Lin
;
X. J. Sun
;
X. K. Liu and X. H. Li
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提交时间:2023/06/14
A 795 nm gain coupled distributed feedback semiconductor laser based on tilted waveguides*
期刊论文
Chinese Physics B, 2021, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 5
作者:
D. Z. Ma
;
Y. Y. Chen
;
Y. X. Lei
;
P. Jia
;
F. Gao
;
Y. G. Zeng
;
L. Liang
;
Y. Song
;
C. K. Ruan
;
X. Liu
;
L. Qin
;
Y. Q. Ning and L. J. Wang
Adobe PDF(2160Kb)
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浏览/下载:115/35
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提交时间:2022/06/13
Ultraviolet photodetectors based on wide bandgap oxide semiconductor films
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 11
作者:
C.Q.Zhou
;
Q.Ai
;
X.Chen
;
X.H.Gao
;
K.W.Liu
;
D.Z.Shen
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浏览/下载:167/47
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提交时间:2020/08/24
Photodetector,ultraviolet,oxide semiconductor film,solar-blind photodetector,msm uv photodetector,thin-film,fast-response,optoelectronic properties,performance enhancement,electrical-properties,schottky contacts,crystal-structure,zno,nanowire,Physics
High quality 2-m GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 3
作者:
J.-M.Shang
;
J.Feng
;
C.-A.Yang
;
S.-W.Xie
;
Y.Zhang
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浏览/下载:196/57
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提交时间:2020/08/24
Gallium compounds,Antimony compounds,III-V semiconductors,Molecular beam epitaxy,Molecular beams,Optically pumped lasers,Pumping (laser),Quantum well lasers,Semiconductor quantum wells,Silicon carbide,Silicon compounds,Tellurium compounds,Wide band gap semiconductors
ZnO-based deep-ultraviolet light-emitting devices
期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 4
作者:
Lu, Y. J.
;
Z. F. Shi
;
C. X. Shan and D. Z. Shen
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提交时间:2018/06/13