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Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output 期刊论文
Acs Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1990-1995
作者:  Q.N.Yu;  M.Zheng;  H.X.Tai;  W.Lu;  Y.Shi;  J.H.Yue;  X.Zhang;  Y.Q.Ning;  J.Wu
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InGaAs/GaAs,strains,quantum confined lasers,indium-rich clusters,dual wavelengths,polarization,surface-emitting laser,semiconductor-laser,temperature-dependence,segregation,emission,growth,si,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Optics,Physics  
Optical response of (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots embedded in a GaP matrix 期刊论文
Physical Review B, 2019, 卷号: 100, 期号: 19, 页码: 19
作者:  P.Steindl;  E.M.Sala;  B.Alen;  D.F.Marron;  D.Bimberg
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single-photon source,temperature-dependence,excitonic recombination,raman-spectra,oxygen donor,gaas,emission,luminescence,photoluminescence,localization,Materials Science,Physics  
Temperature-dependent photoluminescence characterization of compressively strained AlGaInAs quantum wells 期刊论文
Materials Research Bulletin, 2019, 卷号: 115, 页码: 196-200
作者:  Y.Song;  L.G.Zhang;  Y.G.Zeng;  Y.Y.Chen;  L.Qin;  Y.L.Zhou
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Al0.07Ga0.22In0.71As quantum wells,Optical properties,Metal organic,chemical vapor deposition,Photoluminescence,Full width at half maximum,thermal-expansion,carrier localization,gaas,scattering,origin,model,shift,Materials Science  
InGaAs-Based Well-Island Composite Quantum-Confined Structure with Superwide and Uniform Gain Distribution for Great Enhancement of Semiconductor Laser Performance 期刊论文
ACS PHOTONICS, 2018, 卷号: 5, 期号: 12, 页码: 4896-4902
作者:  Yu, Qingnan;  Li, Xue;  Jia, Yan;  Lu, Wei;  Zheng, Ming;  Zhang, Xing;  Ning, Yongqiang;  Wu, Jian
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tunable semiconductor lasers  well-island composite quantum-confined structure  In GaAs/GaAs material  gain characteristics  flat top  indium-rich islands  
退火对MBE生长GaAs_(0.91)Sb_(0.09)晶体质量和发光特性影响研究 期刊论文
中国科技论文, 2017, 页码: 2616-2620
作者:  贾慧民;  王彪;  高虹一;  王登魁;  唐吉龙;  冯源;  李洋;  李再金;  马晓辉
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Gaas0.91sb0.09  分子束外延  热退火  光致发光  局域态  
两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质 期刊论文
发光学报, 2015, 期号: 03, 页码: 288-292
作者:  韩智明;  缪国庆;  曾玉刚;  张志伟
caj(455Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：453/106  |  提交时间：2016/07/06
两步生长法  Gaas  Ingaas  Mocvd  
GaAs微尖上碳纳米管的制备 期刊论文
发光学报, 2013, 期号: 07, 页码: 841-844
作者:  李志明;  宋航;  蒋红;  吴萃婷
caj(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：680/114  |  提交时间：2014/03/07
碳纳米管  热化学气相沉积  Gaas  选择液相外延  
GaAs半导体激光器腔面高反射涂层的研究 期刊论文
光学精密工程, 1997, 期号: 03, 页码: 13-16
作者:  杨晓妍;  刘杰
caj(49Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：411/96  |  提交时间：2013/03/11
Gaas激光器  谐振腔  高反射膜  损耗  
半导体激光器腔面全介质涂层的研究 期刊论文
光学精密工程, 1995, 期号: 03, 页码: 38-41
作者:  杨晓妍
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Gaas／aaalas激光器  谐振腔  减反射膜  高反射膜  
GaAs-(AlGa)As大光腔激光器 期刊论文
光学学报, 1983, 期号: 04, 页码: 358-363
作者:  张兴德;  任大翠
caj(2508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：364/64  |  提交时间：2013/03/11
大光腔激光器:9425  Gaas:1950  有源区:1647  输出波导:1630  外延片:739  近场图样:571  双异质结激光器:568  蒸镀:534  受激辐射:506  母液:486