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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Applied Physics Letters
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Power scaling of a self-mode-locked vertical-external-cavity surface-emitting laser
期刊论文
Applied Physics Letters, 2023, 卷号: 123, 期号: 1
作者:
R. Yan, R. Zhu, Y. Wu, T. Wang, L. Jiang, H. Lu, Y. Song and P. Zhang
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提交时间:2024/07/26
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
Y. X. Chen
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
Y. Chen
;
Z. H. Zhang
;
Y. P. Jia
;
Z. M. Shi and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 23
作者:
Xie X. H.
;
Zhang Z. Z.
;
Li B. H.
;
Wang S. P.
;
Jiang M. M.
;
Shan C. X.
;
Zhao D. X.
;
Chen H. Y.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2014/05/14
Zincblende-wurtzite phase transformation of ZnSe films by pulsed laser deposition with nitrogen doping
期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 期号: 103
作者:
Zhang X.
;
Wang D.
;
Beres M.
;
Liu L.
;
Ma Z.
;
Yu P. Y.
;
Mao S. S.
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提交时间:2014/05/14
Enhancement of Raman scattering by field superposition of rough submicrometer silver particles
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 17
作者:
Zhang F.
;
Chen P.
;
Zhang L.
;
Mao S. C.
;
Lin L.
;
Tang Y. G.
;
Cui J. C.
;
Qi X. D.
;
Yang J. H.
;
Ma Y. F.
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提交时间:2012/10/21
Efficient energy transfer from hole transporting materials to CdSe-core CdS/ZnCdS/ZnS-multishell quantum dots in type II aligned blend films
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 9
作者:
Jing P. T.
;
Yuan X.
;
Ji W. Y.
;
Ikezawa M.
;
Liu X. Y.
;
Zhang L. G.
;
Zhao J. L.
;
Masumoto Y.
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提交时间:2012/10/21
Reduced efficiency roll-off in electrophosphorescent devices by a short-living rhenium emitter with well-matched energy levels
期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26
作者:
Li X. A.
;
Zhang D. Y.
;
Chi H. J.
;
Xiao G. Y.
;
Dong Y.
;
Wu S. H.
;
Su Z. S.
;
Zhang Z. Q.
;
Lei P.
;
Hu Z. Z.
;
Li W. L.
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提交时间:2012/10/21
Formation of stable and reproducible low resistivity and high carrier concentration p-type ZnO doped at high pressure with Sb
期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 2
作者:
Qin J. M.
;
Yao B.
;
Yan Y.
;
Zhang J. Y.
;
Jia X. P.
;
Zhang Z. Z.
;
Li B. H.
;
Shan C. X.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2012/10/21
Influence of interlayer on the performance of stacked white organic light-emitting devices
期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 12
作者:
Chen P.
;
Xue Q.
;
Xie W. F.
;
Xie G. H.
;
Duan Y.
;
Zhao Y.
;
Liu S. Y.
;
Zhang L. Y.
;
Li B.
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提交时间:2012/10/21