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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Applied Physics Letters
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High power GaSb-based superluminescent diode with cascade cavity suppression waveguide geometry and ultra-low antireflection coating
期刊论文
Applied Physics Letters, 2023, 卷号: 123, 期号: 2
作者:
T. Wang, C. Yang, Y. Chen, J. Shi, H. Yu, X. Su, Y. Zhang, Y. Zhao, C. Tong, D. Wu, Y. Xu, H. Ni and Z. Niu
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提交时间:2024/07/25
Understanding efficiency improvements of betavoltaic batteries based on 4H-SiC, GaN, and diamond
期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 121, 期号: 10, 页码: 8
作者:
R. Z. Zheng
;
J. B. Lu
;
Y. Wang
;
Z. Y. Chen
;
X. Zhang
;
X. Y. Li
;
L. Liang
;
L. Qin
;
Y. G. Zeng
;
Y. Y. Chen and Y. M. Liu
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提交时间:2023/06/14
Theoretical prediction of output performance of 63NiO-Si heterojunction betavoltaic cell
期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 121, 期号: 8
作者:
Y. Wang
;
R. Zheng
;
J. Lu
;
X. Li
;
Z. Chen
;
X. Zhang
;
Y. Zhang
;
L. Liang
;
Y. Zeng
;
L. Qin and Y. Liu
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提交时间:2023/06/14
Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:
K. Jiang
;
X. Sun
;
Y. Chen
;
S. Zhang
;
J. Ben
;
Y. Chen
;
Z.-H. Zhang
;
Y. Jia
;
Z. Shi and D. Li
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提交时间:2022/06/13
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
Y. X. Chen
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
Y. Chen
;
Z. H. Zhang
;
Y. P. Jia
;
Z. M. Shi and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Temperature-dependent phase noise properties of a two-section GaSb-based mode-locked laser emitting at 2 mu m
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 14, 页码: 4
作者:
X. Li,H. Wang,Z. L. Qiao,J. X. B. Sia,W. J. Wang,X. Guo,Y. Zhang,Z. C. Niu,C. Z. Tong and C. Y. Liu
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提交时间:2021/07/06
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:
K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
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提交时间:2021/07/06
Optical reflectivity and hardness improvement of hafnium nitride films via tantalum alloying
期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 23
作者:
Gu, Z. Q.
;
H. H. Huang
;
S. Zhang
;
X. Y. Wang
;
J. Gao
;
L. Zhao
;
W. T. Zheng and C. Q. Hu
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提交时间:2017/09/11
Tunable enhancement of exciton emission from MgZnO by hybridized quadrupole plasmons in Ag nanoparticle aggregation
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 9, 页码: 4
作者:
Chen H. Y.
;
Liu K. W.
;
Jiang M. M.
;
Zhang Z. Z.
;
Xie X. H.
;
Wang D. K.
;
Liu L.
;
Li B. H.
;
Zhao D. X.
;
Shan C. X.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2015/04/24