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A facile route to arsenic-doped p-type ZnO films 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 14, 页码: 3577-3580
作者:  Wang S. P.;  Shan C. X.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.;  Yao B.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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Effects of low-temperature-grown ZnO buffer layer and Zn/O ratio on the properties of high-temperature-overgrown ZnO main layer on Si substrate by MBE 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 373-377
作者:  Lu Y. M.;  Wang X.;  Zhang Z. Z.;  Shen D. Z.;  Su S. C.;  Yao B.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.;  Zhao D. X.;  Fan X. W.;  Tang Z. K.
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Growth and properties of ZnO nanotubes grown on Si(111) substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 280, 期号: 1—2, 页码: 206-211
作者:  Yan J. F.;  Lu Y. M.;  Liang H. W.;  Liu Y. C.;  Li B. H.;  Fan X. W.;  Zhou J. M.
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Investigation of growth mode in ZnO thin films prepared at different temperature by plasma-molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1—4, 页码: 305-310
作者:  Liang H. W.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Yan J. F.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.;  Liu Y. C.;  Fan X. W.
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Effects of RF power on properties of ZnO thin films grown on Si(001) substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1—2, 页码: 179-185
作者:  Li B. S.;  Liu Y. C.;  Shen D. Z.;  Zhang J. Y.;  Lu Y. M.;  Fan X. W.
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The photoluminescence of ZnO thin films grown on Si (100) substrate by plasma-enhanced chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3—4, 页码: 479-483
作者:  Li B. S.;  Liu Y. C.;  Zhi Z. Z.;  Shen D. Z.;  Lu Y. M.;  Zhang J. Y.;  Fan X. W.
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The formation mechanism of self-assembled CdSe quantum dots 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 4, 页码: 785-790
作者:  Yang Y.;  Shen D. Z.;  Zhang J. Y.;  Fan X. W.;  Li B. S.;  Lu Y. M.;  Liu Y. C.;  Liu Y. N.
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GROWTH AND OPTICAL BISTABILITY OF ZN0.78CD0.22SE-ZNSE MULTIPLE-QUANTUM WELLS BY METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1994, 卷号: 138, 期号: 1-4, 页码: 629-632
作者:  Yang B. J.;  Chen L. C.;  Fan X. W.;  Zhang J. Y.;  Zheng Z. H.;  Lu Y. M.;  Guan Z. P.;  Yang A. H.;  Wang S. M.
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