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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
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Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
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Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
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Mg(x)Zn(1-x)O-based photodetectors covering the whole solar-blind spectrum range 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 17
作者:  Ju Z. G.;  Shan C. X.;  Jiang D. Y.;  Zhang J. Y.;  Yao B.;  Zhao D. X.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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Visualization and investigation of Si-C covalent bonding of single carbon nanotube grown on silicon substrate 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10
作者:  You Y. M.;  Yu T.;  Kasim J.;  Song H.;  Fan X. F.;  Ni Z. H.;  Cao L. Z.;  Jiang H.;  Shen D. Z.;  Kuo J.;  Shen Z. X.
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