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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：152/52  |  提交时间：2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(1823Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：128/46  |  提交时间：2021/07/06
Thermal analysis of high-bandwidth and energy-efficient 980 nm VCSELs with optimized quantum well gain peak-to-cavity resonance wevelength offset 期刊论文
Applied Physics Letters, 2017, 卷号: 111, 期号: 24
作者:  Li, H.;  P. Wolf;  X. W. Jia;  J. A. Lott and D. Bimberg
浏览  |  Adobe PDF(801Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：236/68  |  提交时间：2018/06/13
The origin of the strong microwave absorption in black TiO2 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 18
作者:  Li, K. X.;  J. L. Xu;  X. D. Yan;  L. Liu;  X. B. Chen;  Y. S. Luo;  J. He and D. Z. Shen
浏览  |  Adobe PDF(1612Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：334/90  |  提交时间：2017/09/11
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：382/103  |  提交时间：2015/04/24
ZnO light-emitting devices with a lifetime of 6.8 hours 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 1
作者:  Liu J. S.;  Shan C. X.;  Shen H.;  Li B. H.;  Zhang Z. Z.;  Liu L.;  Zhang L. G.;  Shen D. Z.
收藏  |  浏览/下载：446/0  |  提交时间：2013/03/27
Intense upconversion luminescence and origin study in Tm3+/Yb3+ codoped calcium scandate 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 12
作者:  Li J.;  Zhang J. H.;  Hao Z. D.;  Zhang X.;  Zhao J. H.;  Luo Y. S.
收藏  |  浏览/下载：453/0  |  提交时间：2013/03/27
High efficient white organic light-emitting diodes based on triplet multiple quantum well structure 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 5
作者:  Zhao B.;  Su Z. S.;  Li W. L.;  Chu B.;  Jin F. M.;  Yan X. W.;  Zhang F.;  Fan D.;  Zhang T. Y.;  Gao Y.;  Wang J. B.
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Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
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Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
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