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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：151/51  |  提交时间：2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:  K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
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The origin of the strong microwave absorption in black TiO2 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 18
作者:  Li, K. X.;  J. L. Xu;  X. D. Yan;  L. Liu;  X. B. Chen;  Y. S. Luo;  J. He and D. Z. Shen
浏览  |  Adobe PDF(1612Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：333/90  |  提交时间：2017/09/11
Realization of unbiased photoresponse in amorphous InGaZnO ultraviolet detector via a hole-trapping process 期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 106, 期号: 17, 页码: 5
作者:  Jiang, D. L.;  L. Li;  H. Y. Chen;  H. Gao;  Q. Qiao;  Z. K. Xu and S. J. Jiao
浏览  |  Adobe PDF(1478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：334/60  |  提交时间：2016/07/15
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：381/103  |  提交时间：2015/04/24
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：468/113  |  提交时间：2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
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Intramolecular energy transfer between the triplet of ancillary ligand and the metal to ligand charge transfer state existed in heterocyclometalated iridium (III) complexes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16
作者:  Han L. L.;  Yang D. F.;  Li W. L.;  Chu B.;  Chen Y. R.;  Su Z. S.;  Zhang D. Y.;  Yan F.;  Wu S. H.;  Wang J. B.;  Hu Z. Z.;  Zhang Z. Q.
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Very high-efficiency organic light-emitting diodes based on cyclometallated rhenium (I) complex 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 8
作者:  Li X.;  Zhang D. Y.;  Li W. L.;  Chu B.;  Han L. L.;  Zhu J. Z.;  Su Z. S.;  Bi D. F.;  Wang D.;  Yang D. F.;  Chen Y. R.
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Highly efficient green organic light-emitting diodes from single exciplex emission 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 5
作者:  Wang D.;  Li W. L.;  Chu B.;  Su Z. S.;  Bi D. F.;  Zhang D. Y.;  Zhu J. Z.;  Yan F.;  Chen Y. R.;  Tsuboi T.
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