×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
资助项目
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院长春光机所知... [35]
作者
文献类型
期刊论文 [38]
发表日期
2022 [1]
2020 [2]
2016 [1]
2014 [1]
2012 [3]
2011 [2]
更多...
语种
英语 [38]
出处
Applied P... [38]
资助项目
收录类别
EI [38]
SCI [38]
资助机构
×
知识图谱
CIOMP OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共38条,第1-10条
帮助
限定条件
收录类别:EI
收录类别:SCI
出处:Applied Physics Letters
语种:英语
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
Understanding efficiency improvements of betavoltaic batteries based on 4H-SiC, GaN, and diamond
期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 121, 期号: 10, 页码: 8
作者:
R. Z. Zheng
;
J. B. Lu
;
Y. Wang
;
Z. Y. Chen
;
X. Zhang
;
X. Y. Li
;
L. Liang
;
L. Qin
;
Y. G. Zeng
;
Y. Y. Chen and Y. M. Liu
Adobe PDF(3647Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:207/77
  |  
提交时间:2023/06/14
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
Adobe PDF(2009Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:167/56
  |  
提交时间:2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:
J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
Adobe PDF(1823Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:141/50
  |  
提交时间:2021/07/06
The origin of the strong microwave absorption in black TiO2
期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 18
作者:
Li, K. X.
;
J. L. Xu
;
X. D. Yan
;
L. Liu
;
X. B. Chen
;
Y. S. Luo
;
J. He and D. Z. Shen
Adobe PDF(1612Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:345/96
  |  
提交时间:2017/09/11
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
Adobe PDF(1846Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:462/109
  |  
提交时间:2015/04/24
ZnO light-emitting devices with a lifetime of 6.8 hours
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 1
作者:
Liu J. S.
;
Shan C. X.
;
Shen H.
;
Li B. H.
;
Zhang Z. Z.
;
Liu L.
;
Zhang L. G.
;
Shen D. Z.
收藏
  |  
浏览/下载:517/0
  |  
提交时间:2013/03/27
Intense upconversion luminescence and origin study in Tm3+/Yb3+ codoped calcium scandate
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 12
作者:
Li J.
;
Zhang J. H.
;
Hao Z. D.
;
Zhang X.
;
Zhao J. H.
;
Luo Y. S.
收藏
  |  
浏览/下载:484/0
  |  
提交时间:2013/03/27
High efficient white organic light-emitting diodes based on triplet multiple quantum well structure
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 5
作者:
Zhao B.
;
Su Z. S.
;
Li W. L.
;
Chu B.
;
Jin F. M.
;
Yan X. W.
;
Zhang F.
;
Fan D.
;
Zhang T. Y.
;
Gao Y.
;
Wang J. B.
收藏
  |  
浏览/下载:503/0
  |  
提交时间:2013/03/27
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
Adobe PDF(685Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:547/116
  |  
提交时间:2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Li Z. M.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
;
Jiang H.
Adobe PDF(782Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:608/150
  |  
提交时间:2012/10/21