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Effects of annealing temperature, atomic composition, film thickness on structure and magnetic properties of CoPt composite films 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 2, 页码: 326-331
作者:  Zhang Y. J.;  Yang Y. T.;  Liu Y.;  Wang Y. X.;  Li X. Y.;  Wang D. D.;  Cao J.;  Yang N. N.;  Li J.;  Yang S. Y.;  Liu Y. Q.;  Wei M. B.;  Yang J. H.
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Plasmonic Nanolithography: A Review 期刊论文
Plasmonics, 2011, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 565-580
作者:  Xie Z. H.;  Yu W. X.;  Wang T. S.;  Zhang H. X.;  Fu Y. Q.;  Liu H.;  Li F. Y.;  Lu Z. W.;  Sun Q.
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Manganese-doped indium oxide and its application in organic light-emitting diodes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 2
作者:  Liao Y. Q.;  Lu Q. P.;  Fan Y.;  Liu X. Y.
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Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
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Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As grown on InP substrate by LP-MOCVD 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.
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Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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