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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Journal of Alloys and Compounds
发表日期:2019
语种:英语
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First principles investigation of Be3X2 (X = N, P, As) and their alloys for solar cell applications
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 795, 页码: 385-390
作者:
M.Ullah
;
R.Ali
;
G.Murtaza
;
Y.Chen
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提交时间:2020/08/24
Beryllium nitride alloys,Optical spectra,Device absorption,efficiencies,thermoelectric properties,structural-properties,electronic-structure,halide perovskites,optical-properties,crystal-structure,alpha-be3n2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Design and synthesis of phosphomolybdic acid/silver dual-modified microporous carbon composite for high performance supercapacitors
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 791, 页码: 1005-1014
作者:
C.Jiao
;
J.L.Xu
;
X.Y.Chen
;
Z.J.Zhang
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提交时间:2020/08/24
Microporous carbon,Silver,Phosphomolybdic acid,Modification,Supercapacitor,redox additives,graphene oxide
The role of DUV laser irradiation in the optical and electrical properties of indium zinc oxide films synthesized by self-combustion
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 806, 页码: 327-334
作者:
P.Li
;
J.Duan
;
J.G.Ma
;
T.F.Wang
;
H.Y.Xu
;
Y.C.Liu
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提交时间:2020/08/24
Transparent conducting film,Indium zinc oxide,Low temperature,Laser,irradiation,Solution combustion,low-temperature,thin-films,transparent
Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:
X.K.Liu
;
K.L.Li
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
Z.H.Huang
;
Z.W.Li
;
L.Min
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提交时间:2020/08/24
Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Theoretical investigation of strain-engineered WSe2 monolayers as anode material for Li-ion batteries
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 370-375
作者:
J.Rehman
;
R.Ali
;
N.Ahmad
;
X.D.Lv
;
C.L.Guo
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提交时间:2020/08/24
2D materials,LIBs,Adsorption,Diffusion,Tensile strain,transition-metal dichalcogenides,electrode materials,crystalline wse2,mono layers,lithium,energy,adsorption,chemistry,graphene,storage,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440
作者:
S.W.H.Chen
;
H.Y.Wang
;
C.Hu
;
Y.Chen
;
H.Wang
;
J.L.Wang
;
W.He
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提交时间:2020/08/24
Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry
Improved performance of a back-illuminated GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector by in-situ modification of one-dimensional ZnO nanorods on its screw dislocations
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 775, 页码: 1213-1220
作者:
Y.P.Chen
;
C.H.Zheng
;
L.Q.Hu
;
Y.R.Chen
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提交时间:2020/08/24
GaN-based ultroviolet photodetectors,ZnO nanorods modification,Screw,dislocation passivation,Photoelectric performance improvement