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Design and comparison of GaAs, GaAsP and InGaAlAs quantum-well active regions for 808-nm VCSELs 期刊论文
Optics Express, 2011, 卷号: 19, 期号: 13, 页码: 12569-12581
作者:  Zhang Y.;  Ning Y. Q.;  Zhang L. S.;  Zhang J. S.;  Zhang J. W.;  Wang Z. F.;  Zhang J.;  Zeng Y. G.;  Wang L. J.
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Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
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Aluminum nanocomposites having wear resistance better than stainless steel 期刊论文
Journal of Materials Research, 2011, 卷号: 26, 期号: 19, 页码: 2479-2483
作者:  An L. A.;  Qu J.;  Luo J. S.;  Fan Y.;  Zhang L. G.;  Liu J. L.;  Xu C. Y.;  Blau P. J.
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Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As grown on InP substrate by LP-MOCVD 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.
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Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
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