×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
资助项目
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院长春光机所知识... [1]
作者
宋航 [1]
未知 [1]
文献类型
期刊论文 [5]
发表日期
2020 [1]
2019 [2]
2018 [1]
2008 [1]
语种
英语 [4]
出处
Journal of... [5]
资助项目
收录类别
EI [5]
SCI [5]
资助机构
×
知识图谱
CIOMP OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
收录类别:EI
出处:Journal of Alloys and Compounds
文献类型:期刊论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:
X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
浏览
  |  
Adobe PDF(2230Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:181/79
  |  
提交时间:2021/07/06
Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:
X.K.Liu
;
K.L.Li
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
Z.H.Huang
;
Z.W.Li
;
L.Min
Adobe PDF(1409Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:207/60
  |  
提交时间:2020/08/24
Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 797, 页码: 262-268
作者:
Y.X.Chen
;
K.L.Li
;
Z.W.Li
;
S.Q.Hu
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
X.K.Liu
Adobe PDF(2209Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:229/73
  |  
提交时间:2020/08/24
Boron nitride,Thermal conductivity,Raman spectroscopy,graphene,conductivity,deposition,nanosheets
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
Adobe PDF(1681Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:613/155
  |  
提交时间:2019/09/17
Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
behaviors
mechanism
breakdown
layer
power
ti
Chemistry
Materials Science
Metallurgy & Metallurgical Engineering
Effect of annealing on conductivity behavior of undoped zinc oxide prepared by rf magnetron sputtering
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2008, 卷号: 457, 期号: 1—2, 页码: 36-41
作者:
Xing G. Z.
;
Yao B.
;
Cong C. X.
;
Yang T.
;
Xie Y. P.
;
Li B. H.
;
Shen D. Z.
Adobe PDF(675Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:710/192
  |  
提交时间:2012/10/21