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| GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文 发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094 作者: 王新建; 宋航; 黎大兵; 蒋红; 李志明; 缪国庆; 陈一仁; 孙晓娟 caj(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:836/194  |  提交时间:2013/03/11 Aln Gan缓冲层 晶体结构 晶粒尺寸 |
| SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 期刊论文 发光学报, 2012, 期号: 08, 页码: 879-882 作者: 贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明 caj(199Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:756/183  |  提交时间:2013/03/11 Sio2纳米颗粒 A-algan Msm紫外探测器 |
| 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) 期刊论文 发光学报, 2012, 期号: 07, 页码: 768-773 作者: 王新建; 宋航; 黎大兵; 蒋红; 李志明; 缪国庆; 陈一仁; 孙晓娟 caj(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:854/192  |  提交时间:2013/03/11 杂质 氮化物 热扩散 |
| 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 期刊论文 发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 581-585 作者: 贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明 caj(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:778/166  |  提交时间:2013/03/11 A-gan 各向异性 拉曼散射光谱 残余应变 |
| AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) 期刊论文 发光学报, 2012, 期号: 05, 页码: 519-524 作者: 贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明 caj(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:875/157  |  提交时间:2013/03/11 A-algan Aln插入层 应力 拉曼光谱 光致发光 |
| 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) 期刊论文 发光学报, 2012, 期号: 02, 页码: 227-232 作者: 王新建; 宋航; 黎大兵; 蒋红; 李志明; 缪国庆; 孙晓娟; 陈一仁; 贾辉 caj(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:808/159  |  提交时间:2013/03/11 晶体结构 光吸收 表面形貌 |
| 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) 期刊论文 发光学报, 2012, 期号: 01, 页码: 82-87 作者: 贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明 caj(483Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:722/120  |  提交时间:2013/03/11 金属有机物气相沉积 Aln 预通三甲基铝(Tmal) 应力 |
| GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 期刊论文 发光学报, 2012, 期号: 1, 页码: 55-60 作者: 尤坤; 宋航; 黎大兵; 刘洪波; 李志明; 陈一仁; 蒋红; 孙晓娟; 缪国庆 caj(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:723/165  |  提交时间:2013/03/11 氮化镓 氮化硅 探测器 电流输运机制 |
| 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 期刊论文 发光学报, 2010, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 1-5 作者: 宋航; 蒋红; 缪国庆; 黎大兵; 李志明; 孙晓娟; 陈一仁 caj(477Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:585/98  |  提交时间:2012/09/25 |
| Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 期刊论文 发光学报, 2010, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 767-06 作者: 缪国庆; 张立功; 宋航; 蒋红; 黎大兵; 李志明; 孙晓娟 caj(543Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:573/100  |  提交时间:2012/09/25 |