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High-performance broadband photodetector based on PdSe2/black phosphorus heterodiode 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 120, 期号: 23, 页码: 6
作者:  Q. S. Dong;  F. Wang;  X. Hu;  Y. Lu;  D. X. Zhao;  M. Zhang;  T. Han;  X. Y. Hou;  S. L. Wang;  M. S. Long and L. Shan
Adobe PDF(3637Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：162/55  |  提交时间：2023/06/14
Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Y. Chen;  S. Zhang;  J. Ben;  Y. Chen;  Z.-H. Zhang;  Y. Jia;  Z. Shi and D. Li
浏览  |  Adobe PDF(2688Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：110/38  |  提交时间：2022/06/13
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：147/51  |  提交时间：2021/07/06
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:  K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
浏览  |  Adobe PDF(1812Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：130/45  |  提交时间：2021/07/06
Possible n/p-type conductivity of two-dimensional graphene oxide by boron and nitrogen doping: Evaluated via constrained excitation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 20
作者:  Wang, D.;  D. Han;  X. B. Li;  S. Y. Xie;  N. K. Chen;  W. Q. Tian;  S. B. Zhang and H. B. Sun
浏览  |  Adobe PDF(1604Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：283/61  |  提交时间：2017/09/11
Tunable enhancement of exciton emission from MgZnO by hybridized quadrupole plasmons in Ag nanoparticle aggregation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 9, 页码: 4
作者:  Chen H. Y.;  Liu K. W.;  Jiang M. M.;  Zhang Z. Z.;  Xie X. H.;  Wang D. K.;  Liu L.;  Li B. H.;  Zhao D. X.;  Shan C. X.;  Shen D. Z.
浏览  |  Adobe PDF(1376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：363/98  |  提交时间：2015/04/24
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：370/102  |  提交时间：2015/04/24
Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 23
作者:  Xie X. H.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Wang S. P.;  Jiang M. M.;  Shan C. X.;  Zhao D. X.;  Chen H. Y.;  Shen D. Z.
Adobe PDF(1540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：363/93  |  提交时间：2014/05/14
Zincblende-wurtzite phase transformation of ZnSe films by pulsed laser deposition with nitrogen doping 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 期号: 103
作者:  Zhang X.;  Wang D.;  Beres M.;  Liu L.;  Ma Z.;  Yu P. Y.;  Mao S. S.
Adobe PDF(805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：366/98  |  提交时间：2014/05/14
ZnO light-emitting devices with a lifetime of 6.8 hours 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 1
作者:  Liu J. S.;  Shan C. X.;  Shen H.;  Li B. H.;  Zhang Z. Z.;  Liu L.;  Zhang L. G.;  Shen D. Z.
收藏  |  浏览/下载：443/0  |  提交时间：2013/03/27