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| Conversion mechanism of conductivity of phosphorus-doped ZnO films induced by post-annealing 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 19
作者: Li J.; Yao B.; Li Y.; Ding Z.; Xu Y.; Zhang L.; Zhao H.; Shen D.
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| Control of N/N(2) species ratio in NO plasma for p-type doping of ZnO 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5
作者: Chen X. Y.; Zhang Z. Z.; Yao B.; Jiang M. M.; Wang S. P.; Li B. H.; Shan C. X.; Liu L. ; Zhao D. X.; Zhao H. F.; Shen D. Z.
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| Effects of nitrogen doping and illumination on lattice constants and conductivity behavior of zinc oxide grown by magnetron sputtering 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 12
作者: Yao B.; Shen D. Z.; Zhang Z. Z.; Wang X. H.; Wei Z. P.; Li B. H.; Lv Y. M.; Fan X. W.; Guan L. X.; Xing G. Z.; Cong C. X.; Xie Y. P.
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| Magnetophotoluminescence of Zn0.88Mn0.12Se grown by metal-organic chemical vapor deposition on GaAs substrates 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 7
作者: Lu S. L.; Jiang D. S.; Dai J. M.; Yang C. L.; He H. T.; Ge W. K.; Wang J. N.; Chang K.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.
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| Preparation and characterization of ZnO particles embedded in SiO2 matrix by reactive magnetron sputtering 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2005, 卷号: 97, 期号: 10
作者: Ma J. G.; Liu Y. C.; Xu C. S.; Liu Y. X.; Shao C. L.; Xu H. Y.; Zhang J. Y.; Lu Y. M.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| Structure and photoluminescence properties of ZnO microrods 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 9, 页码: 5605-5608
作者: Zhao D. X.; Liu Y. C.; Shen D. Z.; Lu Y. M.; Zhang L. G.; Fan X. W.
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| Structure and optically pumped lasing from nanocrystalline ZnO thin films prepared by thermal oxidation of ZnS thin films 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: 3293-3298
作者: Zhang X. T.; Liu Y. C.; Zhang L. G.; Zhang J. Y.; Lu Y. M.; Shen D. Z.; Xu W.; Zhong G. Z.; Fan X. W.; Kong X. G.
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| Enhanced ultraviolet emission and optical properties in polyvinyl pyrrolidone surface modified ZnO quantum dots 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 9, 页码: 4489-4493
作者: Yang C. L.; Wang J. N.; Ge W. K.; Guo L.; Yang S. H.; Shen D. Z.
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