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Structural transition of Gd2O3 : Eu induced by high pressure 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 158-160
作者:  Chen H. Y.;  He C. Y.;  Gao C. X.;  Zhang J. H.;  Gao S. Y.;  Lu H. L.;  Nie Y. G.;  Li D. M.;  Kan S. H.;  Zou G. T.
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Comparative study of properties of ZnO/GaN/Al2O3 and ZnO/Al2O3 films grown by low-pressure metal organic chemical vapour deposition 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2045-2048
作者:  Zhao B. J.;  Yang H. J.;  Du G. T.;  Miao G. Q.;  Yang T. P.;  Zhang Y. T.;  Gao Z. M.;  Wang J. Z.;  Fang X. J.;  Liu D. L.;  Li W. C.;  Ma Y.;  Yang X. T.;  Liu B. Y.
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Effects of chamber pressure on current-voltage characteristic of metal-insulator-metal element in heat-treating anodized Ta2O5 film 期刊论文
Chinese Physics Letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 838-840
作者:  Liu H. W.;  Gao C. X.;  Wang H.;  Cui Q. L.;  Zou G. T.;  Huang X. M.
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Atomic force microscopy on the Ga0.16In0.84As0.80Sb0.20 epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Chinese Physics Letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 724-726
作者:  Gao C. X.;  Li S. W.;  Yang J.;  Liu B. B.
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